存储器结构及其制造方法技术

技术编号:42475106 阅读:32 留言:0更新日期:2024-08-21 12:58
本公开提供一种存储器结构及其制造方法,可应用于三维AND闪存元件。该存储器结构包括基底、堆叠结构、通道柱、多个电荷存储结构、第一导电柱、第二导电柱与隔离柱。堆叠结构位于基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一介电层与多个导电层。通道柱穿过堆叠结构。每个电荷存储结构位于对应的导电层与通道柱之间。第一导电柱与第二导电柱位于所述通道柱内。第一导电柱与第二导电柱彼此分离。隔离柱位于第一导电柱与第二导电柱之间。隔离柱的顶部高于第一导电柱的顶部与第二导电柱的顶部。

【技术实现步骤摘要】

本公开关于一种半导体结构及其制造方法,尤其涉及一种存储器结构及其制造方法


技术介绍

1、非易失性存储器具有可使得存入的数据在断电后也不会消失的优点,因此广泛采用于个人计算机和其他电子设备中。三维存储器元件的发展已逐渐成为目前的趋势。三维存储器元件通常具有垂直通道柱以及位于通道柱内的源极柱与漏极柱。然而,在三维存储器元件的工艺中,在源极柱与漏极柱之间常会产生桥接,而导致存储器元件失效。


技术实现思路

1、本公开提供一种存储器结构及其制造方法,其可有效地防止在源极柱与漏极柱之间产生不必要的桥接,进而防止存储器元件失效。

2、本公开提出一种存储器结构,包括基底、堆叠结构、通道柱、多个电荷存储结构、第一导电柱、第二导电柱与隔离柱。堆叠结构位于基底上。堆叠结构包括交替堆叠的多个第一介电层与多个导电层。通道柱穿过堆叠结构。每个电荷存储结构位于对应的导电层与通道柱之间。第一导电柱与第二导电柱位于所述通道柱内。第一导电柱与第二导电柱彼此分离。隔离柱位于第一导电柱与第二导电柱之间。隔离柱的顶部高于第一导电柱的顶部本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器结构,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器结构,其中所述隔离柱的顶部高于所述通道柱的顶部。

3.根据权利要求1所述的存储器结构,还包括:

4.根据权利要求3所述的存储器结构,其中所述介电衬层的材料包括高密度等离子体氧化物。

5.根据权利要求3所述的存储器结构,还包括:

6.根据权利要求5所述的存储器结构,其中所述顶盖层的材料包括高密度等离子体氧化物。

7.根据权利要求5所述的存储器结构,其中所述介电衬层与所述顶盖层围绕所述隔离柱。

8.根据权利要求1所述的存储器结构,还包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种存储器结构,包括:

2.根据权利要求1所述的存储器结构,其中所述隔离柱的顶部高于所述通道柱的顶部。

3.根据权利要求1所述的存储器结构,还包括:

4.根据权利要求3所述的存储器结构,其中所述介电衬层的材料包括高密度等离子体氧化物。

5.根据权利要求3所述的存储器结构,还包括:

6.根据权利要求5所述的存储器结构,其中所述顶盖层的材料包括高密度等离子体氧化物。

7.根据权利要求5所述的存储器结构,其中所述介电衬层与所述顶盖层围绕所述隔离柱。

8.根据权利要求1所述的存储器结构,还包括:

9.一种存储器结构的制造方法,包括:

10.根据权利要求9所述的存储器结构的制造方法,其中所述第一堆叠结构的形成方法包括:<...

【专利技术属性】
技术研发人员:梁立言
申请(专利权)人:旺宏电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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