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半导体存储装置制造方法及图纸
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下载半导体存储装置的技术资料
文档序号:42475305
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实施方式的半导体存储装置具备:多个导电体层,在Z方向上彼此分开设置,包含第1导电体层(SGD);多个存储器柱(MP),贯通多个导电体层,沿Z方向延伸;以及部件(SLT),包含沿X方向延伸的第1部分(DT)、及在X方向上彼此分开设置于多个导电...
该专利属于铠侠股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。
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