发光组件制造技术

本发明专利技术为一种发光组件，包括透明封闭壳体、电激发光气体、第一激发光层以及第一全介电质光学多层薄膜。透明封闭壳体具有相对的第一内侧壁与第一外侧壁以及相对的第二内侧壁与第二外侧壁，而电激发光气体是配置在透明封闭壳体内，并适于提供紫外光源。一激发光层是配置在第一内侧壁或第一外侧壁上，而第一全介电质光学多层薄膜是配置在第二内侧壁或第二外侧壁上，其中第一激发光层适于吸收紫外光源以提供可见光源，而第一全介电质光学多层薄膜适于反射紫外光源，并使可见光源通过。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种发光组件，特别涉及的是一种配置全介电质光学多层薄膜，尤其是具宽反射角度的长波通光学滤光膜层(Wide AOI(Angle of Incidence) Reflectance Long wave Pass Filter)的发光组件，以下简称宽反射角长波通膜层 (Wide AOI Reflectance LPF)。
技术介绍
随着科技的进步，如日光灯管、电灯泡与荧光灯管等发光组件已被大量使 用在日常生活当中。而如何提高发光组件的发光效率与光学均匀度以满足使用 者的需求，乃是当今研究发展的重要方向。图1为现有的一种发光组件的截面图，而图1A为图1的发光组件的局部放 大示意图。请参考图1、图1A,现有的发光组件100包括透明封闭管体110、 汞气(Hg)120以及荧光层130,其中汞气120是配置在透明封闭管体110中，而 荧光层130是涂布在透明封闭管体110的内侧壁112上。此外，荧光层130是 由许多颗粒状的荧光颗粒130a所堆栈而成，而荧光层130可再区分为表层荧光 层132与底层焚光层134。当汞气120被高电压激发后会放出紫外光源122而照射在荧光层130上， 而荧光层130的荧光颗粒130a被紫外光源122激发后会放出可见光源124,且 可见光源124会穿过透明封闭管体110而照射至外界。然而，由于紫外光源122在通过荧光层130时能量会衰减，因而会造成位 于表层荧光层132的荧光颗粒BOa，与位于底层荧光层134的荧光颗粒130a所 受到的激发程度不同。如此会使得荧光颗粒130a，、 130a所发出的可见光源 124，、 124强度不同，而造成可见光源124整体亮度比可见光源124，亮度较差。而且，由于荧光层130是由结晶的细微荧光颗粒130a堆积而成，紫外光源 122难免会从荧光颗粒130a之间的微小缝隙漏出，而导致产生些与浪费并降低 能源利用率。此外，由于荧光层130并非良好的透明体，所以荧光颗粒130a，所放出的可 见光源124，必须要再穿越底层荧光层134后，才能照射至外界。如此即会造成 可见光源124，亮度下降，使得发光组件200整体发光效率不佳，所以若能将荧 光层130的厚度变薄，且又能充分吸收紫外光源122,将能改善发光效率。图1B为现有的另一种发光组件的局部放大示意图。请参考图1B与图1A, 图1B的发光组件100a与图1A的发光组件IOO相似，其差别在于发光组件100a 的荧光层130，厚度较发光组件100的荧光层130厚度为薄。在涂布制作荧光层 130，时，由于荧光层130，整体厚度较薄，虽然透明度会改善，但是荧光颗粒130aa 会有堆栈不密，以致在有些区域未能覆盖的情形。如此会使得许多紫外光源122，直接穿出荧光层130而浪费掉，造成亮度不 佳。如果此时能够将被浪费的紫外光源122，予以反射回来加以利用，则可因透 光度(荧光层130，整体厚度较薄)好且紫外光源122又能充分利用，而使发光效率 得以大幅改善。图2为现有的再一种发光组件的截面图。请参考图2，现有的发光组件200 包括透明封闭管体210、汞气220、荧光层230以及反射层240,其中汞气220 是配置在透明封闭管体210中。透明封闭管体210具有下半内侧壁212与上半 内侧壁214,而反射层240是配置在下半内侧壁212上，且焚光层230是涂布在 反射层240上。当汞气220放出紫外光源222(222，)而照射在焚光层230上后，荧光层230 会被激发而放出可见光源224。部分可见光源224，可直接通过上半内侧壁214 向上穿越透明封闭管体210而照射至外界，且部分可见光源224'，会被反射层240 反射后再向上穿越透明封闭管体210。尽管发光组件200是以荧光层230表层发光为主，且部分可见光源224，不 需穿透荧光层230便直接照射至外界，以使得发光组件200整体亮度稍有增加。 但是由于荧光层230仅涂布半周圆，使得部份向上的紫外光源222无法照射到 萸光层230而发光，造成能量无故损失而降低发光组件200的能源有效利用率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种发光组件，具有较佳的发光效率与较 佳的亮度均匀性。为达上述或是其它目的，本专利技术提出一种发光组件，包括透明封闭壳体、电激发光气体、第一激发光层以及第一全介电质光学多层薄膜。透明封闭壳体 具有相对的第一内侧壁与第一外侧壁以及相对的第二内侧壁与第二外侧壁，而 电激发光气体是配置在透明封闭壳体内，并适于提供紫外光源。 一激发光层是 配置在第一内侧壁上，而第一全介电质光学多层薄膜是配置在第二内侧壁上， 其中第一激发光层适于吸收紫外光源以提供可见光源，而第一全介电质光学多 层薄膜适于反射紫外光源，并使可见光源通过。在本专利技术的一实施例中，上述的发光组件还包括第二激发光层，第二激发 光层是配置在第一全介电质光学多层薄膜或第二内侧壁上，且第二激发光层较 第一全介电质光学多层薄膜邻近电激发光气体。在本专利技术的一实施例中，上述的发光组件还包括第二介电质光学膜层，其 是配置在第一激发光层或第一外侧壁上，且第一激发光层较第二全介电质光学 多层薄膜邻近电激发光气体。在本专利技术的一实施例中，上述的发光组件还包括第一反射层，第一反射层 是配置在第一激发光层、第一外侧壁或第二全介电质光学多层薄膜上，而第一 激发光层较第一反射层邻近电激发光气体，且第二全介电质光学多层薄膜较第 一反射层邻近电激发光气体。在本专利技术的一实施例中，上述的发光组件还包括一透明封闭外罩，而透明 封闭壳体是配置在透明封闭外罩内，且透明封闭外罩具有相对的 一第三内侧壁 与 一第三外侧壁，又第三内侧壁与第 一 内側壁是位于同侧。在本专利技术的一实施例中，上述的发光组件还包括一第二反射层，第二反射 层是配置在第三内侧壁或第三外侧壁上。与现有技术比较本专利技术的有益效果在于，由于全介电质光学多层薄膜可将 紫外光源反射回透明封闭壳体以照射激发光层放出可见光源，如此可大幅提升 发光组件的发光效率与能源利用率。此外，由于激发光层为表层发光，因此发 光组件具有较佳的亮度。附图说明图1为现有的一种发光组件的截面图1A为图1的发光组件的局部放大示意图1B为现有的另一种发光组件的局部放大示意图2为现有的再一种发光组件的截面图；图3A~图3D为依据本专利技术第一实施例的四种发光组件的截面图； 图3E 图3F绘示在不同波长光源下对第一实施例的第一全介电质光学多 层薄膜的反射率的实验模拟图3G还针对253.7nm波长光源绘示出不同入射角度下对第一实施例的第一 全介电质光学多层薄膜的反射率的实验模拟图4A~图4C为依据本专利技术第二实施例的三种发光组件的截面图； 图5A~图5C为依据本专利技术第三实施例的三种发光组件的截面图； 图6A~图6D为依据本专利技术第四实施例的四种发光组件的截面图； 图7A为依据本专利技术第五实施例的一种发光组件的截面图； 图7B为图7A的发光组件在不同视角的截面图； 图8A为依据本专利技术第六实施例的 一种发光组件的截面图； 图9A~图9J为依据本专利技术第七实施例的十种发光组件的截面图； 图10A 图IOC、图IOE、图IOG、图IOH为依据本专利技术第八实施例的六 种发光组件的截面图IOD、 IOF分别为图IOC、 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光组件，其特征在于：其包括：　一透明封闭壳体，其具有一第一内侧壁、一第二内侧壁，一第一外侧壁以及一第二外侧壁，而所述的第一内侧壁与所述的第一外侧壁相对，且所述的第二内侧壁与所述的第二外侧壁相对；　一电激发光气体，其配置在所 述的透明封闭壳体内，所述的电激发光气体适于提供一紫外光源；　一第一激发光层，配置在所述的第一内侧壁或所述的第一外侧壁上，所述的第一激发光层适于吸收所述的紫外光源以提供一可见光源；以及　一第一全介电质光学多层薄膜，配置在所述的第二 内侧壁或所述的第二外侧壁上，所述的第一全介电质光学多层薄膜适于反射所述的紫外光源，并使所述的可见光源通过。

【技术特征摘要】
1. 一种发光组件，其特征在于其包括一透明封闭壳体，其具有一第一内侧壁、一第二内侧壁，一第一外侧壁以及一第二外侧壁，而所述的第一内侧壁与所述的第一外侧壁相对，且所述的第二内侧壁与所述的第二外侧壁相对；一电激发光气体，其配置在所述的透明封闭壳体内，所述的电激发光气体适于提供一紫外光源；一第一激发光层，配置在所述的第一内侧壁或所述的第一外侧壁上，所述的第一激发光层适于吸收所述的紫外光源以提供一可见光源；以及一第一全介电质光学多层薄膜，配置在所述的第二内侧壁或所述的第二外侧壁上，所述的第一全介电质光学多层薄膜适于反射所述的紫外光源，并使所述的可见光源通过。2. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于还包括一第二激发光层， 配置在所述的第一全介电质光学多层薄膜或所述的第二内侧壁上，且所述的第 二激发光层较所述的第一全介电质光学多层薄膜邻近所述的电激发光气体。3. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于还包括一第二全介电质光 学多层薄膜，配置在所述的第一激发光层或所述的第一外侧壁上，且所述的第 一激发光层较所述的第二全介电质光学多层薄膜邻近所述的电激发光气体。4. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于所述的电激发光气体为汞 气，且所述的紫外光源的主要波长为253.7nm。5. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于所述的第一全介电质光学 多层薄膜的材质包括二氧化铪。6. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于所述的第一全介电质光学 多层薄膜所反射所述的紫外光源的角度至少为0度 30度以上。7. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于所述的第一激发光层为荧 光或磷光所构成，且其平均厚度是介于40pm至2mm之间。8. 根据权利要求1所述的发光组件，其特征在于还包括一第一反射层，配 置在所述的第一激发光层或所述的第一外侧壁上，且所述的第一激发光层较所 述的第一反射层邻近所述的电激发光气体。9. 一种发光组件，其特征在于其包括一透明封闭壳体，其具有一第一内侧壁、 一第二内侧壁， 一第一外侧壁以 及一第二外侧壁，而所述的第一内側壁与所述的第一外侧壁相对，且所述的第 二内侧壁与所述的第二外侧壁相对；一透明分隔板，其配置在所述的透明封闭壳体内，所述的透明分隔板具有 相对的 一第 一侧面与 一第二侧面，而所述的第 一 内侧壁与所述的第 一侧面围成一第一空间；一电激发光气体，其配置在所述的第一空间内，所述的电激发光气体适于 提供一紫外光源；一第一激发光层，其配置在所述的第一内侧壁或所述的第一外侧壁上，所 述的第一激发光层适于吸收所述的紫外光源以提供一可见光源；以及一第一全介电质光学多层薄膜，其配置在所述的第一侧面或所述的第二侧 面上，所述的第一全介电质光学多层薄膜适于反射所述的紫外光源，并使所述 的可见光源通过。10. 根据权利要求9所述的发光组件，其特征在于还包括一第二激发光层, 配置在所述的第一全介电质光学多层薄膜或所述的第一侧面上，且所述的第二 激发光层较所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：芈振伟，
申请(专利权)人：芈振伟，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]