【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及包括纳米片结构的集成电路器件。
技术介绍
1、随着集成电路器件的尺寸减小，场效应晶体管在衬底上的集成度可以增加。因此，已经开发了包括堆叠在相同布局区域上的多个水平纳米片的水平纳米片场效应晶体管(hnsfet)。由于集成度的增加，集成电路元件的尺寸可能减小，并且可能生成元件之间的接触电阻和寄生电容，这可能影响集成电路性能。
技术实现思路
1、本专利技术构思涉及通过布置下电力轨来去除或减少集成电路器件的源/漏结构的电阻和接触电阻、和/或器件中存在的寄生电容，以提高集成电路器件的集成度和/或可靠性。
2、本专利技术构思的方面不限于上面提到的那些，并且未提到的其他方面将从描述中清楚地理解，或者可以通过本公开所呈现的实施例的实践来了解。
3、根据本专利技术构思的实施例，一种集成电路器件可以包括：鳍型有源结构，在第一水平方向上伸长；鳍型有源结构的上表面上的纳米片堆叠，该纳米片堆叠包括在距鳍型有源结构的上表面不同的竖直距离处与鳍型...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：
4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述底部介电隔离物从所述栅极结构下方延伸以接触所述多个第二源/漏结构之中的对应第二源/漏结构的下表面。
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，还包括：
8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述栅极结构包括在所述纳米片堆叠...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：
4.根据权利要求2所述的集成电路器件，其中
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述底部介电隔离物从所述栅极结构下方延伸以接触所述多个第二源/漏结构之中的对应第二源/漏结构的下表面。
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，还包括：
8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述栅极结构包括在所述纳米片堆叠上沿所述第二水平方向延伸的主栅极。
9.根据权利要求5所述的集成电路器件，还包括：
10.根据权利要求9所述...
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