【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般而言涉及半导体封装，并且更特别地，涉及电源引线框架封装(powerleadframe package)，该电源引线框架封装具有的引线具有可完全焊料润湿(fullysolder wettable)的侧壁表面。
技术介绍
1、参考图1a–图1i，其示出了用于生产集成电路功率晶体管器件的电源引线框架封装的制造过程的步骤。
2、图1a–制造商或供应商提供了包括管芯焊盘部分14和引线部分16的蚀刻的引线框架12。管芯焊盘部分14和引线部分16通过由引线框架的底部处的半蚀刻开口20和引线框架的顶部处的通孔22限定的空间彼此分开。
3、图1b–集成电路管芯24安装到每个管芯焊盘部分14的上表面。该附接可以例如使用合适的管芯附接机构26来进行。作为示例，管芯附接膜、粘合剂层或焊料层可以用于附接。
4、图1c–集成电路管芯24的上表面处的接合焊盘通过接合线28电连接到引线框架12的引线部分16的远端30处的上表面。
5、图1d–引线框架12、集成电路管芯24和接合线28的组件然后被定位在模具3...
【技术保护点】
1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中执行用于切割的第一操作包括锯切。
3.如权利要求1所述的方法，其中执行用于切割的第二操作包括锯切。
4.如权利要求1所述的方法，其中镀上导电层包括执行电镀。
5.如权利要求4所述的方法，其中电镀包括通过由金属夹提供的电连接向引线框架的所有框架部分的引线区域和管芯焊盘区域施加电势。
6.如权利要求1所述的方法，其中镀上导电层还包括在引线框架的所有框架部分的引线区域和管芯焊盘区域的底表面上镀上导电层。
7.如权利要求1所述的方法，还包括将由蚀刻的引...
【技术特征摘要】
1.一种方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中执行用于切割的第一操作包括锯切。
3.如权利要求1所述的方法，其中执行用于切割的第二操作包括锯切。
4.如权利要求1所述的方法，其中镀上导电层包括执行电镀。
5.如权利要求4所述的方法，其中电镀包括通过由金属夹提供的电连接向引线框架的所有框架部分的引线区域和管芯焊盘区域施加电势。
6.如权利要求1所述的方法，其中镀上导电层还包括在引线框架的所有框架部分的引线区域和管芯焊盘区域的底表面上镀上导电层。
7.如权利要求1所述的方法，还包括将由蚀刻的引线框架、安装的集成电路和安装的金属夹形成的组件包封在形成包封体的包封材料中。
8.如权利要求7所述的方法，其中执行用于切割的第一操作进一步切穿形成包封体的包封材料的位于每个金属夹的桥接部分和引线框架的框架部分的中间区域之间的部分。
9.如权利要求8所述的方法，其中执行用于切割的第一操作包括将切割施加到包封体的在中间区域处的下表面。
10.如权利要求7所述的方法，其中执行用于切割的第二操作进一步切穿形成包封体的包封材料的位于每个金属夹的桥接部分和包封体的上表面之间的部分。
11.如权...
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