射频放大器制造技术

本描述涉及放大器。第一晶体管将第一输入节点耦合到第一输出节点。第二晶体管将第二输入节点耦合到第二输出节点。第一晶体管和第二晶体管的控制端子连接在一起。第三晶体管具有连接到第一输入节点的控制端子和连接到第二输出节点的导电端子。第四晶体管具有连接到第二输入节点的控制端子和连接到第一输出节点的导电端子。电路控制流过第一晶体管和第二晶体管的电流。电路将控制信号传送到第一晶体管和第二晶体管的控制端子。

【技术实现步骤摘要】

本公开一般而言涉及电子电路，例如集成电子电路，并且更特别地，涉及被配置为在例如3khz至300ghz、优选地在1ghz至100ghz范围内的频率下操作的射频电路。

技术介绍

1、许多射频电子电路包括射频放大器，其被配置为在放大器的两个输入节点之间接收射频信号，并且被配置为在放大器的两个输出节点之间传送对应的经放大的射频信号。

技术实现思路

1、需要克服已知射频放大器的全部或部分缺点。

2、例如，期望有一种射频放大器，其中放大器的增益和输入阻抗能够彼此独立地设置。

3、例如，期望有一种射频放大器，其适于低电压应用，例如其中放大器接收基本上等于1.8v的标称电源电压的应用。

4、例如，期望有一种射频放大器，其具有良好的稳定度状况。

5、例如，期望有一种射频放大器，其两个输入节点和其两个输出节点之间存在良好的隔离度。

6、实施例克服了已知射频放大器的全部或部分缺点。

7、实施例提供了一种放大器，包括：

8、第一输入节点和第二输入节点本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种放大器，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导电端子之间的电容值的比率在从0.8到1.2的范围内。

3.根据权利要求2所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导电端子之间的电容值的比率在从0.9到1.1的范围内。

4.根据权利要求2所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导...

【技术特征摘要】

1.一种放大器，包括：

2.根据权利要求1所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导电端子之间的电容值的比率在从0.8到1.2的范围内。

3.根据权利要求2所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导电端子之间的电容值的比率在从0.9到1.1的范围内。

4.根据权利要求2所述的放大器，其中第一晶体管和第二晶体管中的每一个的导电端子之间的电容值与第三晶体管和第四晶体管中的每一个的控制端子和第一导电端子之间的电容值的比率等于1。

5.根据权利要求1所述的放大器，其中第三晶体管和第四晶体管中的每一个具有连接到施加第一电源电位的节点的第二导电端子；并且

6.根据权利要求5所述的放大器，其中第一电感将第一输出节点耦合到施加第二电源电位的节点，并且第二电感将第二输出节点耦合到施加第二电源电位的节点。

7.根据权利要求6所述的放大器，其中第一电感器和第二电感器形成变压器的初级绕组。

8.根据权利要求5所述的放大器，其中电容器具有第一端子，所述第一端子连接到将第一晶体管和第二晶体管的控制端子连接到彼此的节点。

9.根据权利要求8所述的放大器，其中电容器具有连接到施加第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·罗克斯，M·玛丽亚罗维拉，F·派拉德特，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：