【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及体声波谐振器制造领域，具体涉及一种体声波谐振器及其形成方法、相关设备。
技术介绍
1、随着移动通信设备的不断发展，频谱资源的高利用率和频谱复杂化的趋势日益加快，目前移动通信中所使用的频段数量已经从4个频段大幅增加至50多个频段(5g)，并且通信协议的复杂化也使得对射频系统性能的要求越来越严苛。其中，体声波谐振器作为射频系统的核心器件，其良好的性能对提高射频系统的传输速率、寿命和可靠性具有重要意义。
2、因此，如何提升体声波谐振器性能，一直是本领域技术人员研究的问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例提供一种体声波谐振器及其形成方法、相关设备，以改善体声波谐振器的非线性特性，实现提升体声波谐振器性能。
2、为解决上述问题，本专利技术实施例提供如下技术方案：
3、第一方面，本专利技术实施例提供一种体声波谐振器，包括：
4、第一衬底，依次堆叠在所述第一衬底上的第一电极、压电层、第二电极和第二衬底；其中，所述第一衬底和...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的高度为至宽度为0.1μm至10μm，其中，所述凸起结构的高度为相对于所述第二电极表面的高度，所述凸起结构的宽度为沿有效区域边缘向有效区域内延伸的法线方向的长度；各凸起结构的高度相同或不同，各凸起结构的宽度相同或不同。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凹槽结构的深度大于且小于或等于宽度为0.1μm至10μm，相邻凹槽结构的距离为0.1μm至10μm，其中，所述凹槽结构的深度为相对于所述第二电极表面的深度，所述凹槽结构的宽...
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凸起结构的高度为至宽度为0.1μm至10μm，其中，所述凸起结构的高度为相对于所述第二电极表面的高度，所述凸起结构的宽度为沿有效区域边缘向有效区域内延伸的法线方向的长度；各凸起结构的高度相同或不同，各凸起结构的宽度相同或不同。
3.根据权利要求2所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凹槽结构的深度大于且小于或等于宽度为0.1μm至10μm，相邻凹槽结构的距离为0.1μm至10μm，其中，所述凹槽结构的深度为相对于所述第二电极表面的深度，所述凹槽结构的宽度为沿有效区域边缘向有效区域内延伸的法线方向的长度。
4.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向反射增强结构中，所述凸起结构和所述凹槽结构为环状，且依次环绕所述有效区域中心。
5.根据权利要求4任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述横向反射增强结构中，所述凸起结构为2个，相邻凸起结构之间设置有2个凹槽结构，且在所述有效区域最内侧的凸起结构内，还设置有一凹槽结构；
6.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一衬底与所述第一电极之间具有第一支撑结构或第一键合结构，所述第一支撑结构或第一键合结构的投影位于所述有效区域的外侧，且在所述体声波谐振器的剖面视角下，所述第一支撑结构或第一键合结构与所述第一衬底、所述第一电极和部分所述压电层合围构成所述第一空腔；
7.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述凸起结构与所述第二电极的材料相同，且所述凸起结构与所述第二电极为一体结构。
8.根据权利要求7所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极与所述压电层之间设置有凸起过渡结构，所述第二电极保形覆盖所述凸起过渡结构，以在对应所述凸起过渡结构的位置凸出所述凸起结构。
9.根据权利要求1至3任一项所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第一衬底朝向所述第一电极一侧具有反射镜凹槽，所述反射镜凹槽的投影至少覆盖所述有效区域。
10.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，所述第二电极为体声波谐振器的底电极或顶电极。
11.根据权利要求1所述的体声波谐振器，其特征在于，在所述有效区域内，还包括，位于第一电极上的另一横向反射增强结构，所述第一电极上的横向反射增强结构与所述第二电极上的横向反射增强结构镜像对称。
12.根据权利要求1所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：万晨庚，
申请(专利权)人：北京芯溪半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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