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一种集成电路器件可以包括：鳍型有源结构，在第一水平方向上伸长；纳米片堆叠，包括鳍型有源结构上的纳米片；栅极结构，在纳米片之间延伸；鳍型有源结构上的源/漏结构，位于与栅极结构相邻的位置处，并且在第一水平方向上面向纳米片堆叠；竖直分离层，包括与...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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