一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种用磁控溅射方法制备的完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法，包含完全截止紫外线阳光控制、完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃及其制备方法。在玻璃基片上镀制硅或硅合金膜作为紫外线吸收膜，利用硅或硅合金膜的截止波长在４００ｎｍ～５５０ｎｍ的特点，完全截止紫外线。所述的硅或硅合金膜层的厚度为１０～２００纳米，用Ａｒ作为工作气体，工作气压为０．３０～０．３７Ｐａ。用单纯硅靶材溅射沉积硅膜、或在单纯硅中掺加Ｂ、Ｐ、Ａｌ、Ｃ和Ｇｅ形成的硅合金靶材溅射沉积硅合金膜。本发明专利技术在汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃材料和照明玻璃灯具工业方面具有广泛的应用，前景广阔。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术具体涉及一种完全截止紫外线镀膜玻璃及其制备方法。属于汽车、火车、轮船、建筑、家电用玻璃和照明灯具玻璃

技术介绍
紫外线会使高分子有机物老化，在一些特殊的场合需要阻止紫外线从玻璃射入或 射出。居室、博物馆、汽车、轮船、火车和家电内的物质，例如纸张、织物、塑料制品和某些 珍贵文物等在紫外线的照射下会老化、变质；照明灯具光源发出的紫外线也会老化照明光 源能达到位置的物质。目前，制备截止紫外线玻璃的方法有两种，第一种方法是在生产玻 璃时，在原料组分中添加铈离子，紫外线被截止的量与玻璃厚度和铈的掺入量有关。这种制 备方法存在的问题是，用熔制法直接制备紫外线截止玻璃，工艺复杂，铈离子的添加量不易 控制，并且颜色不容易控制。第二种方法是用溅射的方法在玻璃上镀截止紫外线膜(紫外 线截止镀膜玻璃及其制备方法，ZL200410061019. 3 ;截止紫外线/反射红外线双重功能镀 膜玻璃及其制备方法，ZL200410061018. 9)，直接用溅射方法在玻璃基片上镀截止紫外线膜 (玻璃/Ti02-Ce02)得到紫外线截止镀膜玻璃。另外，目前的阳光控制镀膜玻璃、或阳光控 制低辐射镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于镀膜玻璃的膜系中含有硅或硅合金膜层，该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜，形成完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，　　完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为：玻璃－过渡层－硅或硅合金膜层－氮化硅膜层，或玻璃－硅或硅合金膜层－氮化硅膜层；　　完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为：玻璃－过渡层－硅或硅合金膜层－不锈钢膜层－氮化钛膜层－氮化硅膜层，或玻璃－过渡层－不锈钢膜层－氮化钛膜层－硅或硅合金膜层－氮化硅膜层；　　完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为：玻璃－过渡层－硅或硅合金膜层－镍铬...

【技术特征摘要】
一种含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于镀膜玻璃的膜系中含有硅或硅合金膜层，该镀膜玻璃是在玻璃基片上镀有硅或硅合金膜，形成完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃，或完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃，完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；完全截止紫外线阳光控制镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-不锈钢膜层-氮化钛膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层；完全截止紫外线阳光控制低辐射镀膜玻璃为玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-氮化硅膜层，或玻璃-过渡层-镍铬膜层-银膜层-镍铬膜层-硅或硅合金膜层-氮化硅膜层，或玻璃-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层、或玻璃-过渡层-硅或硅合金膜层-透明导电氧化物膜层；利用硅或硅合金膜的截止波长在400nm～550nm的特点，完全截止紫外线。2. 根据权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，所述的过 渡层为二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛或氮化硅；透明导电氧化物膜层包含铝掺杂氧化锌或 铟掺杂二氧化锡。3. 根据权利要求1或2所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，在玻璃 基片上的硅或硅合金膜硅层用的靶材是纯硅靶或掺加了 B、P、Al、C或Ge的硅合金靶材。4. 根据权利要求1所述的完全截止紫外线的低辐射镀膜玻璃，其特征在于，硅或硅合 金膜层的厚度为10 200纳米。5. —种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于完全截止 紫外线的低辐射镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过 渡层二氧化锡、氧化锌、氧化钛或氮化硅；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积比Ar/02 = 3:2，沉积二氧化锡，氧化锌，氧化钛薄膜，厚度为20 40nm ;用 Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa， 其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : l，沉积薄膜厚度为20 40nm ;3) 将预镀了过渡层或直接在清洁处理过的玻璃基片上，用磁控溅射沉积硅或硅合金膜 层，用Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;4) 在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法沉积氮化硅薄膜。用Ar和^作为工作气体， 工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 3 : 2，薄膜厚度为7 15nm。6. —种如权利要求1所述的含有硅膜层的截止紫外线镀膜玻璃，其特征在于，完全截 止紫外线阳光控制镀膜玻璃的制备方法包括如下步骤其中对膜系玻璃_过渡层_硅或硅合金膜层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_氮化硅膜 层的制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡层二氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体 积比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或用Ar和N2作为工作气体反应溅射沉积 氮化硅薄膜作为过渡层，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中体积比Ar/N2 = 0. 7 : 1，沉积薄 膜厚度为20 40nm ;3) 在预镀了过渡层的镀膜玻璃上，直接在玻璃上用磁控溅射沉积硅或硅合金膜层；用 Ar作为工作气体，工作气压为0. 30 0. 37Pa，薄膜厚度为10 200nm ;4) 在硅或硅合金膜层上用磁控溅射方法依次沉积不锈钢膜层，氮化钛膜层和氮化硅膜 层；其中，不锈钢膜层用Ar作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，沉积薄膜厚度为7 15nm ;氮化钛和氮化硅膜层，均用Ar和N2作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，其中 体积比Ar/N2 = 3:2，薄膜厚度分别为15 25nm和20 40nm ;对膜系玻璃_过渡层_不锈钢膜层_氮化钛膜层_硅或硅合金膜层_氮化硅膜层的 制备方法为1) 对待镀膜玻璃用去离子水进行清洗，干燥；2) 将清洁处理过的玻璃直接送入溅射镀膜设备中，在玻璃基片上用磁控溅射沉积过渡 层氧化锡、或氧化锌、或氧化钛；用Ar和02作为工作气体，工作气压为0. 27 0. 31Pa，体积 比Ar/02 = 3 : 2，沉积薄膜厚度为20 40nm ;或...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵青南，董玉红，卢秀强，
申请(专利权)人：江苏秀强玻璃工艺股份有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]