【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及图像传感器和制造所述图像传感器的方法，并且更具体地，涉及包括深沟槽隔离结构的图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器是用于将图像转换为电信号的器件。图像传感器具有多个像素，并且各像素包括用于接收入射光以进行光电转换和电荷积聚的光电二极管区域和用于放大在光电二极管区域中产生的电荷并且输出像素信号的像素电路。随着图像传感器集成水平的提高，像素尺寸减小在实现减小的暗电流和足够的满阱容量两者方面提出了挑战。
技术实现思路
1、本专利技术构思提供可有效地抑制暗电流和改善满阱容量的图像传感器、和制造所述图像传感器的方法。本专利技术构思提供:
2、条目1.制造图像传感器的方法，包括：在半导体基板的第一表面处形成像素隔离沟槽，其中所述像素隔离沟槽由所述半导体基板的凹陷的第一表面和其侧表面限定，所述侧表面将所述凹陷的第一表面连接至所述第一表面，所述凹陷的第一表面对应于所述像素隔离沟槽的底表面，并且所述半导体基板的侧表面对应于所述像素隔离沟槽的侧表面；在所述像素隔离沟槽的侧表面上形...
【技术保护点】
1.制造图像传感器的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，
3.如权利要求1所述的方法，
4.如权利要求1所述的方法，
5.如权利要求1所述的方法，
6.如权利要求1所述的方法，
7.如权利要求1所述的方法，
8.如权利要求1所述的方法，
9.如权利要求1所述的方法，
10.如权利要求1所述的方法，
11.如权利要求1所述的方法，
12.制造图像传感器的方法，所述方法包括：
13.如权利要求12所述的方法，
...【技术特征摘要】
1.制造图像传感器的方法，所述方法包括：
2.如权利要求1所述的方法，
3.如权利要求1所述的方法，
4.如权利要求1所述的方法，
5.如权利要求1所述的方法，
6.如权利要求1所述的方法，
7.如权利要求1所述的方法，
8.如权利要求1所述的方法，
9.如权利要求1所述的方法，
10.如权利要求1所述的方法，
11.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：筱原武一，韩喜铎，藤田雅人，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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