集成电路器件制造技术

集成电路器件包括在衬底上的栅极堆叠、在栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上的间隔物、在栅极堆叠的第一侧和第二侧在衬底的上部部分中的源极/漏极区、在源极/漏极区上的覆盖半导体层、在覆盖半导体层上并围绕栅极堆叠的侧壁的层间绝缘膜、以及在穿透层间绝缘膜和覆盖半导体层的接触孔中的接触，接触具有接触覆盖半导体层和源极/漏极区的底部部分。

【技术实现步骤摘要】

各种示例实施方式涉及集成电路器件和/或其制造方法，更具体地，涉及包括外围电路的集成电路器件和/或其制造方法。

技术介绍

1、根据半导体器件的缩小，用于实现半导体器件的各个精细电路图案的尺寸进一步减小。此外，随着各个微电路图案的尺寸减小，接触的尺寸也减小，结果，接触电阻增加，电性能(诸如速度和/或功率性能)劣化。

技术实现思路

1、各种示例实施方式提供了一种能够减小接触电阻的集成电路器件和/或其制造方法。

2、根据一些示例实施方式，提供了一种集成电路器件，其包括在衬底上的栅极堆叠、在栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上的间隔物、在栅极堆叠的第一侧和第二侧在衬底的上部部分中的源极/漏极区、在源极/漏极区上的覆盖半导体层、在覆盖半导体层上并围绕栅极堆叠的侧壁的层间绝缘膜、以及在穿透层间绝缘膜和覆盖半导体层的接触孔中的接触，接触具有接触覆盖半导体层和源极/漏极区的底部部分。

3、可选地或附加地，根据一些示例实施方式，提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括：在衬底上的栅极堆叠，该栅极堆叠包括栅极绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触的底表面在所述覆盖半导体层的底表面下方。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述覆盖半导体层的上表面被所述层间绝缘膜覆盖。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述间隔物包括：

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述外间隔物的底表面在所述覆盖半导体层上。

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述间隔物包...

【技术特征摘要】

1.一种集成电路器件，包括：

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述接触的底表面在所述覆盖半导体层的底表面下方。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述覆盖半导体层的上表面被所述层间绝缘膜覆盖。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述间隔物包括：

6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述外间隔物的底表面在所述覆盖半导体层上。

7.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中

8.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中，所述间隔物包括：

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述覆盖半导体层不接触所述内间隔物。...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱贞慜，尹灿植，吉奎炫，韩正勋，金元洪，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：