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集成电路器件包括在衬底上的栅极堆叠、在栅极堆叠的第一侧壁和第二侧壁上的间隔物、在栅极堆叠的第一侧和第二侧在衬底的上部部分中的源极/漏极区、在源极/漏极区上的覆盖半导体层、在覆盖半导体层上并围绕栅极堆叠的侧壁的层间绝缘膜、以及在穿透层间绝缘膜...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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