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提供图像传感器及其制造方法。所述方法包括：在半导体基板中形成像素隔离沟槽以从所述半导体基板的第一表面延伸至所述半导体基板的内部；在所述像素隔离沟槽的内壁上形成牺牲层；通过等离子体掺杂工艺将p型杂质从所述牺牲层的表面注入到所述牺牲层和所述半导...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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