检测后段金属截断工艺窗口的结构和方法技术

本发明专利技术公开了一种检测后段金属截断工艺窗口的结构，第一种测试结构包括：由第一金属层组成的平行交替排列第一和第二金属线，在第二金属线上设置有垂直交叉的第一截断层；两条由第二层金属层组成的互相平行的第三和第四金属线，第三和第一金属线垂直。位于各第一截断层第一侧的第二金属线通过顶部对应的通孔连接到第三金属线。位于各第一截断层第二侧的第二金属线通过顶部对应的通孔连接到第四金属线。当第三金属线通入电流，第四金属线未检测到电流时，判定各第一截断层两侧的第二金属线被截断；第四金属线检测到电流时，判定各第一截断层两侧的第二金属线导通，第一截断层的宽度小于等于下限值。本发明专利技术能用于后段金属截断工艺窗口的检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种检测后段金属截断(cut)工艺窗口的结构。本专利技术还涉及一种检测后段金属截断工艺窗口的方法。

技术介绍

1、目前对于较低线宽的技术节点的无极紫外(non-euv)工艺，后段的头对头大小不能再通过单次曝光满足(减少面积)，只能通过cut工艺通过埋下阻挡材料以防止刻蚀下去，进而形成金属互连头对头的结构。

2、现阶段有一种cut是通过tio侧墙(spacer)合并(merge)方式来形成的，首先在硬掩膜(hm)层通过光刻和干法刻蚀工艺形成cut以及金属线的沟槽图形，然后沿着金属线沟槽的侧壁以原子层沉积(ald)的方式生长tio spacer,tio spacer会在cut的沟槽图形里面merge起来，从而阻挡(block)后续的刻蚀，最终填充金属会实现金属线的隔断即截断。

3、由于tio spacer的厚度是固定的，这就使得cut沟槽的关键尺寸的控制非常重要。当cut沟槽关键尺寸偏小的时，tio spacer在cut图形里面merge后，在后续的刻蚀过程中会不够挡从而会被消耗掉，在最终本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于，包括第一种测试结构，用于检测后段金属截断工艺窗口的下限值；

2.如权利要求1所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于，第二种测试结构，用于检测所述后段金属截断工艺窗口的上限值；

3.如权利要求2所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于：同时设置有一组所述第一种测试结构，各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度不同，各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度等间隔变化且所述下限值位于各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度的变化范围内。

4.如权利要求2所述的检测后段金属截断工艺窗口...

【技术特征摘要】

1.一种检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于，包括第一种测试结构，用于检测后段金属截断工艺窗口的下限值；

2.如权利要求1所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于，第二种测试结构，用于检测所述后段金属截断工艺窗口的上限值；

3.如权利要求2所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于：同时设置有一组所述第一种测试结构，各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度不同，各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度等间隔变化且所述下限值位于各所述第一种测试结构的所述第一截断层的宽度的变化范围内。

4.如权利要求2所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于：同时设置有一组所述第二种测试结构，各所述第二种测试结构的所述第二截断层的宽度不同，各所述第二种测试结构的所述第二截断层的宽度等间隔变化且所述上限值位于各所述第二种测试结构的所述第二截断层的宽度的变化范围内。

5.如权利要求2所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于：所述第一截断层和所述第二截断层的形成工艺都采用后段金属截断工艺。

6.如权利要求5所述的检测后段金属截断工艺窗口的结构，其特征在于：所述后段金属截断工艺中，所述第一金属线和所述第二金属线之间的间距通过tio侧墙定义；

7.一种检测后段金属截断工艺窗口的方法，其特征在于，包括如下步骤：

8.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：化跃峰，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：