【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光传感器，尤其涉及一种光传感器的感光元件，其保护层的下层的刻蚀速度较小，在通孔刻蚀工艺时，该保护层的下层在紧邻上电极层的地方将可降低产生倒角异常的现象。
技术介绍
参照图1，数字式X射线传感器(digital X-ray sensor)的技术可分为两大类(l)直接型数字式X射线传感器(direct digital x-ray sensor)20及(2)非直接型数字式X射线传感器(indirect digital x-ray sensor)10。此两者的技术差异主要是在于将X射线30转换成电子信号的流程不同，故各有其设计上的结构差异。首先，直接型数字式X射线传感器20的结构主要是薄膜晶体管阵列(TFT array)22加上非晶硒(amorphous selenium; a-Se)所制的光导体(photo-conductor)24，通过非晶硒所制的光导体24直接将X射线直接转换成电子空穴对，经由外加电场，空穴会往像素电极飘移并储存于薄膜晶体管阵列22的电容内，最后再通过薄膜晶体管阵列22将电子信号传回系统，进而转换成数字化的X光影像。其次，非直接型...
【技术保护点】
一种光传感器包含： 薄膜晶体管阵列； 感光元件阵列，电连接于所述薄膜晶体管阵列，其中每一感光元件包含上电极层；以及 保护层，用于覆盖所述感光元件阵列及所述薄膜晶体管阵列，并包含上层及下层，其中所述下层配置于所述感光元件阵列的上电极层上，所述上层配置于所述下层上，且所述下层的折射率大于所述上层的折射率。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡志鸿，徐睿腾，刘挺中，萧建智，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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