半导体器件及其制备方法、存储系统技术方案

本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，包括：堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向Y设置的台阶区和核心区；第一栅线缝隙结构，第一栅线缝隙结构沿第一方向Y设置于台阶区；第一栅线缝隙结构包括沿所述第一方向Y间隔分布的多个第一连接段，以及连接第一连接段的第二连接段，在同一个XY截面中，第一连接段在第二方向X上的第一尺寸L小于第二连接段在第二方向X上的第二尺寸D；其中，第二方向X与第一方向Y相互垂直。本申请提供的半导体器件在进行材料填充时能够进行实体填充，能够在去除相应层时避免损坏其它区域的结构，进而保证生产出来的存储器能够达到标准。

【技术实现步骤摘要】

本申请的实施例涉及电子器件，特别涉及一种半导体器件及其制备方法、存储系统。

技术介绍

1、三维存储器(3d nand)技术通过在垂直方向上堆叠多层数据存储单元，可打造出存储容量比同类nand技术高达三倍的存储器。该技术可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低。但是在制备存储器的过程中，由于沟道结构的轮廓存在弯曲，在进行材料填充时无法做到实体填充，导致在去除相应层时损坏了其它区域的结构，进而导致生产出来的存储器无法达到标准。

技术实现思路

1、本申请的实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储系统，以解决现有技术中半导体器件在去除相应层时容易损坏其它区域，导致产品无法达标的技术问题。

2、为了解决上述技术问题，本申请的实施例公开了如下技术方案：

3、第一方面，提供了一种半导体器件，包括：

4、堆叠结构，所述堆叠结构包括沿第一方向y设置的台阶区和核心区；

5、第一栅线缝隙结构，所述第一栅线缝隙结构沿所述第一方向y设置于所述台阶区；...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二栅线缝隙结构，所述第二栅线缝隙结构沿所述第一方向(Y)设置于所述核心区，所述第二栅线缝隙结构与所述第一栅线缝隙结构连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅线缝隙结构沿所述第一方向(Y)设置，所述第二栅线缝隙结构在所述第二方向(X)的横截面具有相同尺寸。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在同一个所述XY截面中，所述第二栅线缝隙结构沿所述第二方向(X)具有第三尺寸E，所述第三尺寸E等于所述第一尺寸L。

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【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括第二栅线缝隙结构，所述第二栅线缝隙结构沿所述第一方向(y)设置于所述核心区，所述第二栅线缝隙结构与所述第一栅线缝隙结构连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第二栅线缝隙结构沿所述第一方向(y)设置，所述第二栅线缝隙结构在所述第二方向(x)的横截面具有相同尺寸。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在同一个所述xy截面中，所述第二栅线缝隙结构沿所述第二方向(x)具有第三尺寸e，所述第三尺寸e等于所述第一尺寸l。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在同一个所述xy截面中，所述第二栅线缝隙结构沿所述第二方向(x)具有第三尺寸e，所述第三尺寸e等于所述第二尺寸d。

6.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第二连接段结构在所述xy截面上的正投影的形状为圆形或多边形。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一栅线缝隙结构在所述xy截面上的正投影的形状为珠链状、星链状或点线状的一种或多种。

8.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

9.如权利要求8所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴林春，张坤，周文犀，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：