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本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，包括：堆叠结构，堆叠结构包括沿第一方向Y设置的台阶区和核心区；第一栅线缝隙结构，第一栅线缝隙结构沿第一方向Y设置于台阶区；第一栅线缝隙结构包括沿所述第一方向Y间隔分布的多个第一连接段，以及连...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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