漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法技术

技术编号：42208534 阅读：24 留言：0更新日期：2024-07-30 18:51

本发明专利技术提供一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法，该漏电检测结构包括半导体层、导电层、介电层、接触单元、第二接触结构及第一和二引线结构，其中，至少一导电层位于半导层的上方，导电层包括多个沿第一方向依次交替排列且开口方向相反的第一U型部和第二U型部，相邻两个第一和二U型部共用近邻的侧臂；介电层覆盖导电层显露表面；多个位于相邻两个侧臂之间且包括至少一第一接触结构的接触单元贯穿介电层；第二接触结构贯穿介电层并与电层电连接；第一引线结构与所述第一接触结构电连接；所述第二引线结构与所述第二接触结构电连接。本发明专利技术改进导电层与接触单元的分布，便于快速寻到制作接触结构的最佳的工艺条件。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法。

技术介绍

1、随着逻辑电路cmos(互补金属氧化物半导体)工艺尺寸减小，晶体管接触结构(ct)到多晶硅栅(poly)之间的短路风险逐渐增加。为了降低ct到poly风险，目前常用ct与poly之间的漏电监控设计结构如图1所示，包括有源区01、多晶硅栅02及接触结构03。而随着工艺尺寸的减小，光学临近效应(转角处的图形发生畸变，方角变成圆角)更加明显，如图2所示，为形成多晶硅栅后的sem图，从图中可以看出多晶硅栅受光学临近效应影响，转角处的方角变成了圆角。为解决光学临近效应问题，通过光学临近修正(optical proximitycorrection，简称opc)来改善处转角处的形貌，但图1中的漏电检测结构虽说能够检测ct与poly之间的漏电，但是无法根据漏电对工艺进行优化，且优化接触结构的工艺的工作量较大，需要不断的尝试。目前还没有关于存在转角的晶体管或连接方式的漏电检测结构来监控ct到poly之间的漏电，并基于漏电情况进行快速优化接触结构制作工艺的

【技术保护点】

1.一种漏电检测结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：不同所述导电层中所述侧臂之间的所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

3.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：同一所述导电层的不同所述侧臂之间的所述接触单元中至少两个所述接触单元的所述第一接触结构的数量不同。

4.根据权利要求1所述的漏电检测结构，其特征在于：所述漏电检测结构中还包括至少一所述导电层的沿所述导电层排列方向两侧的侧导电部，所述侧导电部与所述导电层间隔预设距离，所述第一接触结构与所述侧导电部间隔预设距离。