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本发明提供一种漏电检测结构及接触结构制作工艺的优化方法，该漏电检测结构包括半导体层、导电层、介电层、接触单元、第二接触结构及第一和二引线结构，其中，至少一导电层位于半导层的上方，导电层包括多个沿第一方向依次交替排列且开口方向相反的第一U型部...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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