【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种压配合端子及半导体器件。
技术介绍
1、诸如汽车和工业应用等利用功率半导体器件，例如igbt(insulated gatebipolar transistor，绝缘栅双极晶体管)、功率mosfet(metal-oxide semiconductorfet，金属氧化物半导体场效应晶体管)、功率二极管等。这些器件被布置在功率转换器电路中，诸如单相和多相半波整流器、单相和多相全波整流器、电压调节器等。
2、半导体器件具有压配合端子，压配合端子构造成半导体器件的外接触部，并可以借助压配合与其他电子构件电连接。由于压配合端子需要考虑外部振动以及压配合应力两方面需求，故现有的压配合端子结构往往较为复杂，成本较高，不利于大规模应用。
3、因此，亟需一种新的压配合端子及半导体器件。
技术实现思路
1、鉴于
技术介绍
中存在的问题，本申请实施例提供了一种压配合端子及半导体器件，能够通过缓冲段同时实现减振和支撑的目的，结构更加简单，并且减少材料的使用，降低制造
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【技术保护点】
1.一种压配合端子，其特征在于，所述压配合端子包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段，以及设置于所述第一连接段和所述第二连接段之间的缓冲段；
2.根据权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述压配合端子具有第一状态和第二状态，所述压配合端子在所述第一状态下沿所述第一方向的尺寸大于在所述第二状态下沿所述第一方向的尺寸；
3.根据权利要求2所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲段包括多个缓冲件，所述缓冲件彼此间隔形成间隙，每个所述缓冲件均至少部分朝向所述间隙内弯曲形成所述折弯部，在所述第二状态下，各所述缓冲件的所述折弯部相互抵接。
...【技术特征摘要】
1.一种压配合端子，其特征在于，所述压配合端子包括沿第一方向相对设置的第一连接段和第二连接段，以及设置于所述第一连接段和所述第二连接段之间的缓冲段；
2.根据权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述压配合端子具有第一状态和第二状态，所述压配合端子在所述第一状态下沿所述第一方向的尺寸大于在所述第二状态下沿所述第一方向的尺寸；
3.根据权利要求2所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲段包括多个缓冲件，所述缓冲件彼此间隔形成间隙，每个所述缓冲件均至少部分朝向所述间隙内弯曲形成所述折弯部，在所述第二状态下，各所述缓冲件的所述折弯部相互抵接。
4.根据权利要求3所述的压配合端子，其特征在于，所述缓冲件沿第二方向成对设置并形成缓冲对，在所述缓冲对内，各所述缓冲件的所述折弯部沿所述第二方向朝向彼此弯曲设置，所述第二方向与所述第一方向相交。
5.根据权利要求4所述的压配合端子，其特征在于，在所述第二方向上，成对设置的所述缓冲件分别设置于所述第一连接段和所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚雪峰，乐聪，
申请(专利权)人：瑞能微恩半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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