层间金属层漏电检测结构及埋线沟槽工艺的优化方法技术

本发明专利技术提供一种层间金属层漏电检测结构及埋线沟槽工艺的优化方法，该层间金属层漏电检测结构包括半导体结构、第二层间介质层、埋线沟槽、第二布线层及第一和二引线结构，其中，半导体结构包括含有第一层间介质层及第一布线层的顶层结构，第一布线层包括至少一第一线路；第二层间介质层覆盖第一布线层；埋线沟槽嵌于第二层间介质层中，埋线沟槽的垂直投影与每个第一线路之间形成至少一个交点，至少两个埋线沟槽的开口尺寸不同；第二布线层填充埋线沟槽；第一引线结构电连接第一布线层；第二引线结构电连接第二布线层。本发明专利技术改进埋线沟槽的尺寸，便于在优化制作埋线沟槽的工艺中快速寻到避免微沟槽效应及刻蚀负载效应的最佳的工艺条件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体集成电路制造领域，涉及一种层间金属层漏电检测结构及埋线沟槽工艺的优化方法。

技术介绍

1、在干法深刻蚀过程中，精细刻蚀控制其深度，均匀性成为至关重要的因素，它直接影响到芯片性能。微沟槽效应(microtrench effect)是干法刻蚀工艺中常见的异常现象，其主要是因为在干法刻蚀过程中，高能离子撞击材料表面产生二次电子，这些电子在电场作用下在侧壁形成电荷积累形成局部电场，由于局部电场存在，离子轨迹被偏转，加剧了边角处的刻蚀，导致边角处易产生过刻，如图1所示，为干法刻蚀得到的沟槽的sem图，包括沟槽01，其中，图中圈出的部分为微沟槽效应造成的底部边缘产生过刻，它严重影响了刻蚀的深度以及均匀性。而干法深刻蚀的过程中不仅会产生微沟槽效应，同时还会产生刻蚀负载效应，即沟槽的尺寸(cd)不同导致刻蚀深度的变化，如图2及图3所示，分别为干法刻蚀形成的沟槽深度随沟槽开口尺寸的变化曲线及干法刻蚀形成的沟槽在不同开口尺寸下深度变化图，包括沟槽01。

2、在集成电路制造的过程中通常会采用干法刻蚀形成微沟槽进行层间金属层布线的埋线，但是由于微沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种层间金属层漏电检测结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：所述第一布线层包括多个所述第一线路，所有所述第一线路中至少两个所述第一线路沿排列方向的尺寸不同。

3.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：在所述埋线沟槽排列方向上，所述埋线沟槽的尺寸依次递减或递增。

4.根据权利要求3所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：所述埋线沟槽的尺寸递减或递增的幅度范围为2％～8％。

5.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：在所述埋线沟槽排列方向上，所述埋线沟槽的...

【技术特征摘要】

1.一种层间金属层漏电检测结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：所述第一布线层包括多个所述第一线路，所有所述第一线路中至少两个所述第一线路沿排列方向的尺寸不同。

3.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：在所述埋线沟槽排列方向上，所述埋线沟槽的尺寸依次递减或递增。

4.根据权利要求3所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：所述埋线沟槽的尺寸递减或递增的幅度范围为2％～8％。

5.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：在所述埋线沟槽排列方向上，所述埋线沟槽的尺寸先依次递减然后再依次递增。

6.根据权利要求1所述的层间金属层漏电检测结构，其特征在于：所述第一引线结构包括第一引出部及与所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：谷东光，杨铧，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：