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本发明提供一种层间金属层漏电检测结构及埋线沟槽工艺的优化方法，该层间金属层漏电检测结构包括半导体结构、第二层间介质层、埋线沟槽、第二布线层及第一和二引线结构，其中，半导体结构包括含有第一层间介质层及第一布线层的顶层结构，第一布线层包括至少一...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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