一种电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法及装置制造方法及图纸

技术编号:42208501 阅读:35 留言:0更新日期:2024-07-30 18:51
本发明专利技术涉及晶硅电池片生产领域,具体公开一种电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法及装置,该方法包括:步骤一、电化学法制备·OH,并经过选择性过滤后,将制备的·OH注入到清洗溶液中;步骤二、将硅片放入含有·OH的清洗溶液中,对硅片抛光面进行氧化,得到均匀分布的超薄湿法氧化层。该装置包括氧化清洗槽和氧化源槽,氧化清洗槽内设阳极区,氧化源槽内设阴极区,阳极区与阴极区之间连接电解导线和直流电源;两槽中间通过管路连接,并在管路内设有·OH选择性透过膜;氧化源槽外接有气体发生装置。采用该方法和装置能在抛光后硅片表面制备均匀的超薄湿法氧化层,避免自然氧化层的生成,有效提升poly的钝化性能,进而提高电池的光电转化效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶硅电池片生产领域,尤其涉及一种电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法及装置


技术介绍

1、近年来,随着传统能源的日益枯竭,太阳能等新能源受到研究者的关注。太阳能电池是可以将太阳能转化为电能的装置,太阳能电池的开发和使用可以大幅缓解传统能源枯竭的问题。目前市面主流的太阳能电池为晶硅电池,在晶硅电池制备工艺中需要对电池进行钝化处理减小复合的发生,提升电池的光电转化效率,然而在n型单晶topcon电池的制程中,碱抛后到隧穿钝化结构制备前的转运环节极易生成自然氧化层,自然氧化层的不均匀性会影响钝化结构的钝化性能。

2、在n型单晶topcon电池的制程中,背面poly的钝化性能是至关重要的。然而在制备poly的过程中内侧的隧穿氧化层会受到前面抛光工序的后转运过程中自然氧化层的影响,使poly的钝化性能变弱。此问题目前可以通过在工序的慢提拉工位前加一个氧化槽和一个水槽,在抛光面制备一层均匀的超薄湿法氧化层来预防不均匀的自然氧化层的形成,从而提升poly的钝化性能。现在行业内常用的在硅片表面制备湿法氧化层的方法有普通化学氧化法和微纳米本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,所述步骤一中,采用电化学方法制备·OH的步骤包括:在氧化清洗槽外管路连接一个氧化源槽,向所述氧化清洗槽和氧化源槽内加入0.01~0.1mol/L的电解质溶液;氧化清洗槽内设阳极区,氧化源槽内设阴极区,导线连接所述阳极区和阴极区并通直流电;向所述氧化源槽加入·OH催化剂,浓度控制在10~40mg/L;向所述氧化源槽通入氧源气体,所述氧源气体被选择性还原为过氧化氢,在所述·OH催化剂的作用下进一步反应得到·OH,所述·...

【技术特征摘要】

1.一种电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:

2.根据权利要求1所述的电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,所述步骤一中,采用电化学方法制备·oh的步骤包括:在氧化清洗槽外管路连接一个氧化源槽,向所述氧化清洗槽和氧化源槽内加入0.01~0.1mol/l的电解质溶液;氧化清洗槽内设阳极区,氧化源槽内设阴极区,导线连接所述阳极区和阴极区并通直流电;向所述氧化源槽加入·oh催化剂,浓度控制在10~40mg/l;向所述氧化源槽通入氧源气体,所述氧源气体被选择性还原为过氧化氢,在所述·oh催化剂的作用下进一步反应得到·oh,所述·oh经过·oh选择性透过膜过滤后进入所述氧化清洗槽。

3.根据权利要求2所述的电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,控制所述氧源气体的通入流量,使氧气流量控制在20~80ml/min。

4.根据权利要求2所述的电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,所述·oh催化剂选用铁基、铜基、镍基中的一种。

5.根据权利要求2所述的电化学增强晶硅电池背面poly钝化性能的方法,其特征在于,控制所述氧化源槽的溶液ph在2~5之间。

6.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员:李献朋郎芳潘明翠徐泽林赵亮史金超于波刘莹麻超
申请(专利权)人:英利能源发展有限公司
类型:发明
国别省市:

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