集成电路结构及其制造方法技术

技术编号：42100342 阅读：19 留言：0更新日期：2024-07-25 00:26

本揭露提供一种集成电路结构及其制造方法，集成电路(IC)结构包含第一基板具有集成电路形成于其上；第二基板接合至第一基板；以及深沟渠电容器形成于第二基板上且电性连接集成电路。深沟渠电容器包含数个导电层与数个介电层的堆叠设于数个深沟渠中，以及数个导电插塞分别落在导电层上。每个导电插塞包含第一金属层、第二金属层设于第一金属层上、以及第三金属层设于第二金属层上。第一金属层、第二金属层、与第三金属层的成分不同。

全部详细技术资料下载

【技术实现步骤摘要】

本揭露的实施方式是有关于一种集成电路结构及其制造方法。

技术介绍

1、半导体集成电路(ic)产业已历经快速成长。集成电路材料与设计中的技术进步已经产生数个集成电路世代，其中每个世代具有比前一世代更小且更复杂的电路。在集成电路发展的进程中，随着几何尺寸[亦即，利用一工艺可形成的最小构件(或线)]的减少，功能密度(亦即，每晶片面积的互连元件的数量)大体上已获得增加。这样的尺寸缩减过程通常通过提高生产效率与降低相关成本来提供好处。这样的尺寸缩减也增加了集成电路加工与制造的复杂性，要实现这些进展，集成电路加工与制造需要类似的发展。

2、举例而言，电容器作为一种被动元件，为集成电路(ic)中的重要元件，且广泛地应用于各种目的，例如在随机存取记忆体(ram)非挥发性记忆体元件、去耦电容器、或电阻电容(rc)电路中。当集成电路朝特征尺寸更小的先进技术节点发展时，由于电容器的特性，电容器几乎是不可缩减而无法缩小到小尺寸。电容器占了相当的电路面积损失。此外，现有的制造电容器的方法将缺陷引入电容器中，而造成不受欢迎的问题，例如材料整合与通过电容...

【技术保护点】

1.一种集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构包含：

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述多个导电插塞落在各自的所述导电层上具有不同的高度。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该集成电路结构还包含多个深沟渠电容器，形成在该第二基板上，且配置成一阵列，其中

5.如权利要求4所述的集成电路结构，其特征在于，所述多个深沟渠电容器的该第一者包含多个第一导电插塞，所述多个第一导电插塞设于所述多个第一深沟渠的相邻二者之间且沿该第一方向对齐。