半导体结构及其制备方法技术

本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。所述半导体结构包括：衬底以及设置于衬底一侧的一层或多层存储结构。每层存储结构包括：第一存储层、第二存储层以及信号线层。第一存储层包括阵列排布的多个第一存储单元。第二存储层位于第一存储层背离衬底的一侧，包括阵列排布的多个第二存储单元。信号线层位于第一存储层和第二存储层之间，包括多条共用信号线。其中，第二存储单元与第一存储单元对应设置。第二存储单元与第一存储单元通过对应的共用信号线相连。所述半导体结构及其制备方法用于实现2T0C存储单元的三维堆叠。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。

技术介绍

1、传统的动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)中，存储单元可以由一个晶体管和一个电容器组成。但随着存储器集成度的不断增加，电容器的结构持续微缩，容易出现电荷存储量降低及漏电过快的问题，导致dram即将到达刷新频率的极限。

2、基于此，相关技术中提出了一种双晶体管无电容器(即2t0c结构)的存储单元，可以应用于dram中，以基于低漏电晶体管有效降低漏电速度。然而，存储单元采用2t0c结构，虽然可以基于低漏电晶体管解决漏电过快的问题，却也容易出现占用面积较大且配套信号线数量增多等问题，从而影响dram存储密度及存储容量的进一步提升。

技术实现思路

1、基于此，本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法，利于实现2t0c存储单元的堆叠，以增大半导体结构的存储密度及存储容量，并且减少制备工艺，以提升半导体结构的生产效率及生产良率。

2、一方面，本公开一些实施例提供了一种半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层存储结构；每层所述存储结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储单元包括沿远离所述衬底的方向堆叠且相连的第一读取晶体管和第一写入晶体管；所述第二存储单元包括沿远离所述衬底的方向堆叠且相连的第二写入晶体管和第二读取晶体管；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述共用信号线包括写入字线；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储单元和所述第二存储单元沿第一方向排布呈列，沿第二方向排布呈行，所述第一方向和所述第二方向相交...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底以及设置于所述衬底一侧的一层或多层存储结构；每层所述存储结构包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储单元包括沿远离所述衬底的方向堆叠且相连的第一读取晶体管和第一写入晶体管；所述第二存储单元包括沿远离所述衬底的方向堆叠且相连的第二写入晶体管和第二读取晶体管；

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述共用信号线包括写入字线；

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储单元和所述第二存储单元沿第一方向排布呈列，沿第二方向排布呈行，所述第一方向和所述第二方向相交；其中，

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一读取晶体管、所述第一写入晶体管、所述第二写入晶体管和所述第二读取晶体管均为全环绕型沟道晶体管。

6.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述共用信号线包括写入位线；

7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一存储单元和所述第二存储单元沿第一方向排布呈列，沿第二方向排布呈行，所述第一方向和所述第二方向相交；

8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述第一读取晶体管和所述第二读取晶体管分别为全环绕型沟道晶体管；所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管分别为全环绕型栅极晶体管。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管均包括柱状半导体结构；所述写入位线覆盖所述第一写入晶体管和所述第二写入晶体管中所述柱状半导体结构的相对表面，以及至少一个所述柱状半导体结构的部分侧壁。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的半...

【专利技术属性】
技术研发人员：邵光速，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：