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本揭露提供一种集成电路结构及其制造方法，集成电路(IC)结构包含第一基板具有集成电路形成于其上；第二基板接合至第一基板；以及深沟渠电容器形成于第二基板上且电性连接集成电路。深沟渠电容器包含数个导电层与数个介电层的堆叠设于数个深沟渠中，以及数...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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