【技术实现步骤摘要】
【】本申请涉及半导体，具体涉及一种半导体器件及其制作方法、及存储器系统。
技术介绍
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技术介绍
1、三维存储器(3d nand)是一种新兴的存储器类型，其垂直堆叠了多层存储单元。基于该技术，可打造出存储容量比同类nand技术高达数倍的存储设备。该技术可支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低以及大幅的性能提升。
2、但是，随着堆叠层数的不断增加，在制作台阶区的接触结构时，接触孔的刻蚀深度很难控制，容易击穿台阶区的栅极，从而影响存储器的工作性能。
技术实现思路
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技术实现思路
1、本申请在于提供一种半导体器件及其制作方法、及存储器系统，能在制作接触结构时避免击穿台阶区的栅极。
2、一方面，本申请实施例提供了一种半导体器件的制作方法，包括：
3、形成堆叠层，所述堆叠层包括栅牺牲层，且包括台阶区，所述台阶区包括多级台阶；
4、在所述堆叠层的所述台阶区上形成第一绝缘层；
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【技术保护点】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成沿所述堆叠方向贯穿各级所述台阶上的所述平坦层且延伸至所述第一绝缘层的中间结构，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第三孔中形成所述中间结构，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述将所述栅牺牲层置换为栅极层，且将所述第一牺牲层置换为第二绝缘层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述栅牺牲层和所述第一牺牲层具
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述形成沿所述堆叠方向贯穿各级所述台阶上的所述平坦层且延伸至所述第一绝缘层的中间结构，包括：
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在所述第三孔中形成所述中间结构，包括：
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述将所述栅牺牲层置换为栅极层，且将所述第一牺牲层置换为第二绝缘层，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述栅牺牲层和所述第一牺牲层具有相同的材料。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述通过所述第一孔形成接触结构，包括：
7.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括氮化硅。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括多晶硅或碳。
9.根据权利要求1-5中任一项所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨永刚，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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