【技术实现步骤摘要】
本公开内容总体上涉及半导体，具体而言，涉及一种三维(3d)存储器的形成方法。
技术介绍
1、随着存储设备缩小到较小的管芯尺寸以降低制造成本且增加存储密度，由于工艺技术的局限性和可靠性问题，平面存储单元的缩放面临挑战。三维(3d)存储器架构可以解决平面存储单元中的密度和性能限制。
2、在3d nand存储器中，存储单元可垂直堆叠以增加每单位面积的存储容量，其中可以从共享字线寻址存储单元。为了访问垂直堆叠的存储单元的字线，可在存储器阵列的一个或两个边缘处形成阶梯结构。然而，为了进一步增加3d nand存储器的存储容量，已大大增加存储单元的数量和存储器阵列的大小。结果，存储器阵列中间的存储单元与字线末端处的电连接之间的距离增加，从而导致较大的寄生电阻和较慢的读/写速度。因此，需要改进3d nand存储器中的阶梯结构以在不牺牲性能的情况下实现较高存储密度。
技术实现思路
1、本公开内容中描述了三维(3d)存储设备及其形成方法的实施例。
2、本公开内容的一个方面提供了一种三维...
【技术保护点】
1.一种三维(3D)存储设备，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储设备，其中：
3.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
4.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
5.根据权利要求4所述的三维存储设备，其中：
6.根据权利要求4所述的三维存储设备，其中：
7.根据权利要求1所述的三维存储设备，其中，所述阶梯电桥包括在所述第一方向上比底部长的顶部。
8.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
9.根据权利要求8所述的三维存储设备，其中，所述多个存储器串分布...
【技术特征摘要】
1.一种三维(3d)存储设备，包括：
2.根据权利要求1所述的三维存储设备，其中：
3.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
4.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
5.根据权利要求4所述的三维存储设备，其中：
6.根据权利要求4所述的三维存储设备，其中：
7.根据权利要求1所述的三维存储设备，其中，所述阶梯电桥包括在所述第一方向上比底部长的顶部。
8.根据权利要求1所述的三维存储设备，还包括：
9.根据权利要求8所述的三维存储设备，其中，所述多个存储器串分布在所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构的相对侧上。
10.根据权利要求1所述的三维存储设备，其中，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构位于所述三维存储设备的存储器阵列的中心。
...【专利技术属性】
技术研发人员：J·郭，汤强，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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