温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

公开了一种用于三维存储设备中的中心阶梯结构的底部选择栅极触点。具体地，公开了一种三维(3D)存储设备及形成其的制造方法。3D存储设备可以包括交替的导体/电介质层叠层，设置在衬底上；第一阶梯结构和第二阶梯结构，形成在交替的导体/电介质层叠层中...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。