具有槽屏蔽电极结构的半导体器件制造技术

在一个实施方式中，具有槽屏蔽电极的半导体器件的结构包括控制垫、控制浇道、屏蔽浇道和控制／屏蔽电极接触结构。该结构配置成使用单层金属来将各种部件连接在一起。在另一实施方式中，屏蔽浇道放置成从中心配置偏离。

【技术实现步骤摘要】

本文件通常涉及半导体器件，且尤其是涉及绝缘栅极结构(insulated gate structure)和形成方法。
技术介绍
金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)器件用在很多功率转换应用例如dc-dc转换器中。在一般的MOSFET中，栅极电极给开启和关闭控制提供适当的栅极电压的施加。作为例子，在n型增强模式MOSFET中，当传导的n型反型层(S卩，沟道区)响应于正栅极电压的施加而在P型主体区中形成时，出现开启，该正栅极电压超过内在的阈值电压。反型层将n型源极区连接到n型漏极区，并允许在这些区之间的多数载流子传导。 有一类MOSFET器件，其中栅极电极在从半导体材料例如硅的主表面向下延伸的槽中形成。此类器件中的电流主要是垂直的，且作为结果，器件单元可能更被更紧密地包装。在所有其它都相等的情况下，这增加了载流容量，并减小了器件的导通电阻。 在某些应用中，高频转换特征很重要，且某些设计技术用于减小电容效应，从而提高了转换性能。作为例子，以前已知将栅极电极之下的额外电极合并在槽MOSFET器件中，并将此额外电极连接到源电极或另一偏压源极。该额外电极常常称为"屏蔽电极"，并尤其起作用来减小本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件结构，其包括：半导体材料区，其包括主表面、第一边缘和相对的第二边缘，以及第一角；第一槽结构，其在半导体器件的有源区中形成，其中，所述第一槽结构包括第一控制电极和第一屏蔽电极；第一源极区，其在所述有源区中相邻于所述第一槽结构形成；第一接触结构，其相邻于所述第一边缘形成，其中，所述第一控制电极和所述第一屏蔽电极在所述第一接触结构中终止，且其中，所述第一槽结构从所述有源区延伸到所述第一接触结构；控制垫，其形成为覆盖在所述主表面上；第一控制浇道，其形成为覆盖在所述主表面上，并在所述第一接触结构中连接到所述控制垫和所述第一控制电极，其中，所述第一控制浇道具有第一端部部分；第一屏蔽电极浇道，...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P温卡特拉曼，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]