磁控管的扼流结构制造技术

一种磁控管的扼流结构，包括：设置于磁控管的正极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽的筒状扼流壁；天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，天线封盖与扼流壁共轴，扼流壁下部向其外侧均匀扩展突出，形成扩张部，扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其他位置与天线封盖内壁间的距离。大部分基本波整数倍的高频谐波尤其是第四、第五高频谐波容易在扼流槽出口处发生反射，不会轻易发散，从而留在扼流槽内继续振荡衰减，直至转化为热量。因此，减少了基本波整数倍的高频谐波向外界的发散量，减小了高频谐波对周围人体和电器元件的不利影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于磁控管的
，具体涉及一种通过将扼流壁下部向 其外侧均匀扩展突出，縮小扼流槽的开口从而抑制基本波整数倍频的高 频谐波泄漏的磁控管的扼流结构。
技术介绍
图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图。如图1所示，磁控管主 要包括有正电极部；负电极部；磁极部；微波发射部。正电极部由圆 桶形状的正极外壳11，在正极外壳11的内壁上形成有多个放射状的叶 片12，叶片上下沟槽中焊接内外环构成。负电极部包括在中心轴上由W (钨)和TH (钍)元素形成的螺旋形 状并可放射热电子的灯丝13;在叶片12的末端和灯丝13之间形成使 热电子旋转的作用空间14;为了防止从灯丝13放射出来的热电子从中 心轴上下方向脱离，在灯丝13的上端和下端形成上部密封件15和下部 密封件16;为了支撑灯丝13及引入电源，计了贯通下部密封件16 并连接上部密封件15的灯丝中央导杆17和与中央导杆17 —起引入电 源并连接下部密封件16的侧面导杆18。磁极部包括固定在正极外壳11的上端和下端且能形成磁通的上磁 极20，下磁极21;为了能使作用空间14上形成磁场，在上磁极20的 上端和下磁极21的下端安装磁铁22。此外，还有贯通陶瓷部件31并连接灯丝中央导杆17 —端和侧面导 杆18 —端进行滤波功能的滤波线圈32;连接滤波线圈32，并跨接于电 源两端从外部引入电源的电容器33;形成在上磁极20的上部和下磁极 21的下部进行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42;为了在作用 空间14里产生的高频波发射到外部，设有连接在叶片12并贯通上磁极 20和上部密封室41中央引出来的天线51;为了冷却在作用空间14里 产生并通过叶片12传递的热量，设置有冷却片61;另外还有把冷却片 61保护在内部并将冷却片61传递的热量散出的外壳19等部件。外壳19包括从上侧容纳内部装置的上壳19a和从下侧容纳内部装 置的下壳19b。图中所示的排气管60是磁控管组装以后，进行排气工序时为了把 磁控管变成真空状态切断的部分。下面说明如上所述的磁控管工作情况。在磁铁22产生的磁场通过3上磁极20和下磁极21形成磁通时，在叶片12和灯丝13之间形成磁场。 当通过电容器33进行通电的时候，灯丝13在大约2000K温度下放射热 电子，热电子在灯丝13与正电极部之间的4.0 KV到4.4KV和在磁铁 22产生的磁场的作用下的作用空间14进行旋转。这样，在通过中央导杆17和侧面导杆18向灯丝13通电的时候， 在叶片12和灯丝13之间产生2450MHZ左右的电场，使热电子在作用空 间14内通过电场和磁场的作用下变成谐波，并使谐波传递到连接叶片 12的天线51发射到外部。在作用空间产生的不仅有用于烹调的基本波(2450MHZ)，还有基本 波频率整数倍的高频谐波，主要包括第二高频谐波(4900MHZ)、第三高 频谐波(7350MHZ)、第四高频谐波(9.8GHZ)、第五高频谐波(12. 5GHZ) 等。基本波用于对微波炉内的物品加热，整数倍高频谐波容易对周围的 电器元件造成强烈的电磁干扰，而且对人体有害，因此必须尽量减少高 频谐波从磁控管中泄漏。图2是现有技术中磁控管扼流结构的剖视图；图3是现有技术中扼 流壁的剖视图。现有技术中磁控管的扼流结构，包括设置于磁控管的正极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖100和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽102的筒状扼流壁101;天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，天线封盖与扼流壁共轴。作用空间中产生的电磁波进入到上部密封室时， 一部分整数倍高频 谐波进入到扼流壁与天线封盖内壁间形成的扼流槽中，并在扼流槽中相 互抵消或振荡衰减产生热能，从而使部分高频波消耗。由于更高频率的 谐波带宽更窄、波长更短，在传统扼流槽中消耗掉的这部分谐波主要是 第二、第三高频谐波。现有技术中的扼流结构并不能有效的对第四、第 五高频谐波产生有利的抑制作用，致使大量第四、第五高频谐波泄漏到 外部空间，从而对电器元件和人体产生不利的影响。
技术实现思路
本专利技术为解决现有技术中存在的技术问题而提供一种通过将扼流 壁下部向其外侧均匀扩展突出，縮小扼流槽的开口从而抑制整数倍高频 '谐波泄漏的磁控管的扼流结构。本专利技术为解决现有技术中存在的技术问题所采取的技术方案是 本专利技术的磁控管的扼流结构，包括设置于磁控管的正极外壳上部 并形成上部密封室的天线封盖和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封 盖内壁共同形成扼流槽的筒状扼流壁；天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，天线封盖与扼流壁共轴，扼流壁下部向其外侧均匀 扩展突出，形成扩张部，扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其 他位置与天线封盖内壁间的距离。本专利技术还可以采用如下技术措施所述的扼流壁下部设置为向外展开的阶梯状开口，由此形成扩张 部，下层阶梯处的直径大于上部扼流壁处的直径。所述的扩张部的阶梯高度为2-4毫米。 所述的扩张部相对扼流壁向外突出的距离为l-2毫米。 所述的扼流壁上部与天线封盖内壁间使用金属银进行密封焊接。本专利技术具有的优点和积极效果是本专利技术的磁控管的扼流结构中，扼流壁下部向其外侧均匀扩展突 出，形成扩张部，扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其他位置 与天线封盖内壁间的距离，扼流壁的下部采用阶梯状结构，从而使扼流 槽在上部密封室内的出口縮小。频率越高的高频谐波其波长就越短，就 越容易在天线封盖的内壁附近分布，因此会进入到扼流槽中，由于扼流 槽的出口较小且采用阶梯结构，大部分基本波整数倍的高频谐波尤其是 第四、第五高频谐波容易在扼流槽出口处发生反射，不会轻易发散，从 而留在扼流槽内继续振荡衰减，直至转化为热量。因此，减少了基本波 整数倍的高频谐波向外界的发散量，减小了高频谐波对周围人体和电器 元件的不利影响。附图说明图r是现有技术的磁控管结构纵剖视图2是现有技术中磁控管扼流结构的剖视图3是现有技术中扼流壁的剖视图4本专利技术的磁控管扼流结构的剖视图5是本专利技术中扼流壁的剖视图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。图4本专利技术的磁控管扼流结构的剖视图；图5是本专利技术中扼流壁的剖视图。如图4、图5所示，本专利技术的磁控管的扼流结构由天线封盖100 和扼流壁101组成。在磁控管的正极外壳上部连接固定有铜材质的天线 封盖，天线封盖与正极外壳之，司密闭连接，并在天线封盖内部形成上部 密封室，起到谐波发射作用的天线穿过上部密封室并从天线封盖上端的 天线出口通出。天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，使天线封盖在上部密封室内形成部分侧壁，当磁控管工作时，此部分侧壁 同样会起到一定的扼流作用。扼流壁同样采用铜材质，为圆筒状结构，其直径大于天线出口的 直径且小于天线封盖直径，上部留有焊接固定边，通过焊接固定边使用 金属银将扼流壁焊接在天线封盖形成的上部密封室内部，扼流壁与天线 封盖内壁的焊接处采用紧密焊接不留缝隙，保证高频谐波不会从两者的 结合部位泄漏。扼流壁与天线封盖共轴，扼流壁与天线封盖内壁之间留 有距离，其间形成扼流槽102，扼流槽的横截面为圆环状。扼流壁下部向其外侧均匀扩展突出，形成阶梯状结构，下层阶梯 处的直径大于上部扼流壁处的直径，从而构成扩张部103，扩张部处的 扼流壁与天本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁控管的扼流结构，包括：设置于磁控管的正极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽的筒状扼流壁；天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，天线封盖与扼流壁共轴，其特征在于：扼流壁下部向其外侧均匀扩展突出，形成扩张部，扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其他位置与天线封盖内壁间的距离。

【技术特征摘要】
1、一种磁控管的扼流结构，包括设置于磁控管的正极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽的筒状扼流壁；天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲，天线封盖与扼流壁共轴，其特征在于扼流壁下部向其外侧均匀扩展突出，形成扩张部，扩张部与天线封盖内壁间的距离小于扼流壁其他位置与天线封盖内壁间的距离。2、 根据权利要求1所述的磁控管的扼流结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李军，
申请(专利权)人：乐金电子天津电器有限公司，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]