磁控管用端帽及其制造方法以及磁控管技术

本发明专利技术提供一种磁控管用端帽，其特征在于，在将由Mo烧结体形成的端帽与Mo-Ru系钎料一体地接合而得到的磁控管用端帽中，在上述端帽与钎料的接合界面处具备钎料中的Ru向由Mo烧结体形成的端帽扩散了5μm以上的扩散区域。通过上述结构，能够提供与钎料的接合强度高、制造成品率优异的磁控管用端帽。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及磁控管用端帽(end hat)及其制造方法以及使用了其的磁控管，尤其涉及端帽与钎料接合的可靠度高、还可提高制造成品率和制造效率的磁控管用端帽及其制造方法以及使用了其的磁控管。
技术介绍
作为用于微波炉等的磁控管的阴极部，如图I所示，已知有如下阴极部其主要由发射热电子的线圈状细丝I、在该线圈状细丝I的上端和下端分别介由M0-Ru钎料2接合的由Mo形成的上部端帽3和下部端帽4、连接固定于上部端帽3的中心引线5、和连接于下部端帽4的边引线6构成。 为了使磁控管正常工作，各结构部件需要恰当地接合。为此需要介由钎料将端帽与细丝及引线牢固地钎焊。尤其由于磁控管用阴极部的端帽与钎料的接合成为制造工序中最初的接合工序，因此该接合需要足够牢固。一直以来在Mo端帽与Mo-Ru钎料的接合中采用了各种方法。例如，在日本专利第3295838号公报(专利文献I)中，公开了在由Mo烧结体形成的端帽处载置Mo-Ru钎料的预烧结体或烧结体、并通过压缩将端帽与钎料无间隙地接合的方法。然而，在上述的接合方法中由于不易调节压缩力，因此容易在Mo制端帽中产生破裂、缺损，存在磁控管的制造成品率变差的难点。尤其由于端帽为在凹状形状的内侧接合钎料的结构，因此压缩力的负荷易于成为破裂缺损的原因。另一方面，在日本专利第3718321号公报(专利文献2)中，公开了将Mo-Ru钎料的烧结体与Mo制端帽激光焊接的内容。在该情况下，由于不对端帽施加压缩力，因此消除了破裂缺损的问题。然而，由于为了使用激光焊接而当然地需要激光焊接装置，因此在成本上升的方面存在问题。另外，由于需要对端帽逐个进行激光照射，因此磁控管的制造效率不一定称得上好。另外，由于毕竟仅仅在照射到了激光的部位处接合，因此在所谓整体的接合可靠度的方面存在改善的余地。现有技术文献专利文献专利文献I :日本专利第3295838号公报专利文献2 :日本专利第3718321号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题如上所述现有的磁控管用端帽的制造方法的成品率、制造效率不一定得到满足，需要能够进一步提闻制造成品率、制造效率闻的制造方法。本专利技术是鉴于这样的技术课题而进行的，提供端帽与钎料接合的可靠度高、且磁控管的制造成品率和制造效率好的端帽及其制造方法以及磁控管。用于解决课题的手段本专利技术的实施方式中的磁控管用端帽的特征在于，在将由Mo烧结体形成的端帽与Mo-Ru系钎料一体地接合而得到的磁控管用端帽中，在上述端帽与钎料的接合界面处具备钎料中的Ru向由Mo烧结体形成的端帽扩散了 5μπι以上的扩散区域。另外，在上述磁控管用端帽中，上述Ru扩散了的扩散区域优选为距接合界面为1(Γ200 μ m的范围。进而，上述Ru扩散了的区域优选存在于Mo-Ru系钎料的底面部和侧面部。进而优选具备由密度为9. 6^10. Og/cm3的Mo烧结体形成的端帽。另外,优选的是,上述Mo烧结体的Mo含量为99. 9质量％以上,并且作为杂质元素的Al含量为O. 005质量％以下、Ca含量为O. 003质量％以下、Cr含量为O. 005质量％以下、Cu含量为O. 002质量％以下、Fe含量为O. 03质量％以下、Mg含量为O. 002质量％以下、Mn含量为O. 002质量％以下、Ni含量为O. 008质量％以下、Pb含量为O. 002质量％以 下、Si含量为O. 005质量％以下、Sn含量为O. 002质量％以下、碳含量为O. 01质量％以下。另外，在上述磁控管用端帽中，上述Mo-Ru系钎料的Ru含量优选为35 50质量％。另外，上述Mo-Ru系钎料优选含有O. 05质量％以下的碳、O. 009质量％以下的Fe、O. 007质量％以下的Ni作为杂质元素。另外，本专利技术中的磁控管使用如上所述地构成的磁控管用端帽来形成。 另外，本专利技术中的磁控管用端帽的制造方法的特征在于，其具备下述工序压制成型工序，使用纯度为99. 9质量％以上的Mo粉来压制成型成端帽形状的Mo成型体；第一烧成工序，将上述Mo成型体在含氢气氛中烧成而得到第一烧成体；钎料配置工序，将环状Mo-Ru系钎料载置于上述第一烧成体上；第二烧成工序，将配置有上述钎料的第一烧成体在含氢气氛中烧成而得到第二烧成体。另外，在上述磁控管用端帽的制造方法中，上述第一烧成工序优选将氢气流量设为O. 2m3/小时以上、将最高到达温度设为100(Γ1200 、并将在上述最高到达温度下的保持时间设为广4小时。进而，在上述磁控管用端帽的制造方法中，在上述第一烧成工序中，优选用3 7小时从温度600°C升温到上述最高到达温度。另外，在上述磁控管用端帽的制造方法中，上述第二烧成工序优选将氢气流量设为O. 2m3/小时以上、将最高到达温度设为160(Tl900°C、并将在上述最高到达温度下的保持时间设为30分钟飞小时。进而，优选通过对上述第二烧成体实施滚筒研磨加工来得到滚筒研磨体。另外，优选对上述滚筒研磨体进行压制加工(整形加工)。进而优选具备将上述压制加工过的滚筒研磨体进行脱脂的工序。另外，优选实施对脱脂了的滚筒研磨体进行热处理的第三烧成工序。专利技术效果根据本专利技术，能够提供Mo端帽与钎料接合的可靠度高、制造成品率和制造效率优异的磁控管用端帽及其制造方法。另外，还能够提供接合的可靠度高的磁控管。附图说明图I是表示磁控管的阴极部的结构例的截面图。图2是表示本专利技术中的磁控管用端帽的一个实施例的截面图。图3是表示将多个成型体一次性地投入到了烧成炉的配置例的截面图。具体实施例方式本专利技术的实施方式中的磁控管用端帽的特征在于，在将由Mo烧结体形成的端帽与Mo-Ru系钎料一体地接合而得到的磁控管用端帽中，在端帽与钎料的接合界面处具备钎料中的Ru向由Mo烧结体形成的端帽中以5μπι以上的范围进行扩散而成的扩散区域。图2中示出了本实施方式中的磁控管用端帽的一个例子。在图2中，2为钎料，3为上部端帽，7为中心引线安装孔部，8为端帽与钎料的接合底面部，9为端帽与钎料的接合侧面部。此外，在图2中示例出上部端帽3，在下部端帽中基本的结构也是相同的。端帽的主体部由Mo烧结体构成。Mo烧结体为在将Mo粉末成型后形成烧结体而成的。关于优选的制造方法见后述。 Mo烧结体的密度优选为9. 6g/cm3以上。更优选为9. 6^10. Og/cm3的范围。密度小于9. 6g/cm3时,端帽的强度有不充分的担忧。另一方面，Mo的理论密度为10. 22g/cm3 (参照理化学辞典)。如果密度接近理论密度，则虽然烧结体的强度得到提高，但密度变得过高时钎料中的Ru变得难以扩散。因此，Mo烧结体的密度优选为9. 6g/cm3以上，进一步优选为9. 6 10. Og/cm3的范围，更优选为9.6 9.8g/cm3的范围。此外，上述Mo烧结体的密度设定为通过阿基米德法测定的密度。另外，上述Mo烧结体中的Mo (钥)的比例优选为99. 9质量％以上。S卩，杂质元素的含量小于O. I质量％。更优选作为杂质元素的Al含量为O. 005质量％以下、Ca含量为O. 003质量％以下、Cr含量为O. 005质量％以下、Cu含量为O. 002质量％以下、Fe含量为O. 03质量％以下、Mg含量为O. 002质量％以下、Mn含量为O. 002质量％以下、Ni含量为O. 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：森冈勉，青山齐，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝高新材料公司，
类型：
国别省市：