本发明专利技术涉及使用有机电致发光化合物的有机电致发光器件，具体涉及一种包括插入位于基板之上的阴极和阳极之间的有机层的有机电致发光器件，其中，该有机层包括一电致发光层，该电致发光层具有一种或多种由化学式（１）表示的宿主化合物和一种或多种由化学式（２）表示的掺杂化合物，本发明专利技术的有机电致发光器件表现出长寿命、高效率和高亮度、良好的色彩纯度和低工作电压、以及增强的器件稳定性。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种包括插入位于基板之上的阴极和阳极之间的有机层的有机 电致发光器件，其中，该有机层包括一电致发光层，该电致发光层具有一种或 多种由化学式(1)表示的宿主化合物和一种或多种由化学式(2)表示的掺杂 化合物化学式lAr2化学式2、N—L一N、 R42 R4
技术介绍
近来，由于显示设备的尺寸变得更大，对占用空间更少的平面显示设备的 需求增加。在这些平面显示设备中，有机电致发光器件(也称为有机发光二极管(OLED，s))相关的技术已得到了快速的发展，己知有几种模型。有机电致发光器件题样一种器件，其中，当电荷施加到电子注入电极(阴 极)和空穴注入电极(阳极)之间形成的有机薄膜中时，电子和空穴成对，它 们通过发光而减少。该器件可在诸如塑料的透明弹性基板上形成。与等离子显 示面板或无机电致发光器件相比，该器件能够在较低的电压下(不超过iov) 运行，能量消耗相对较低，但繊屯度极佳。由于有机电致发光(EL)器件能够显示三种颜色(绿、蓝和红)，其作为下 一代^S显示器件而被关注。帝隨有机电致发光器件的工艺包括如下步骤26(1) 首先，在透明 上涂覆阳极材料。作为阳极材料，通常〗OTIT0 (氧 化铟锡)。(2) 在其上涂覆空穴注入层(HIL)。作为空穴注入层，一IS:凃覆厚度为10nm 至30nm的铜酞菁(CuPc)。(3) 然后，弓I入空穴传输层(HTL)。作为空穴传输层，气相沉积厚度约30nm 至60nm的4,4，-双联苯(NPB)。(4) 在其上形成有机，层。如果需要，加入掺杂剂。在绿色电致发光中， 一般通过气相沉积厚度为30nm至60nm的三(8-羟 休)铝(Alq3)作为有机 激寸层，MQD (N-甲基喹吖(二)酮)通常用作掺杂剂。(5) 电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)随后被涂覆于其上，或形成 电子注A/传输层。在绿色电致发光中，由于(4)中的Alq3具有良好的电子传 输能力，电子注A/傲俞层可以是非必需采用的。(6) 然后，涂覆阴极，并进行最终钝化。根据^l寸层是如何形成如此结构的，可得到蓝色、绿色或红色电致发光器 件。同时，用作获得绿色电致发光器件的绿色电致发光化合物的传统物质，存 在寿命不足和发光效率低的问题。多种有机化合物可用于上述结构中的电子注入层或电子传输层。所述化合 物包J赫如三(8-羟鍵啉)铝(Alq3)的轻金属络合物、噁二唑、三唑、苯并咪 唑、苯并噁唑、苯并噻唑等，但它们在亮度、耐用性等方面是不令人满意的。 其中，由于Alq3具有优良的稳定性和电子亲和性，被报道为是最佳的化合物。 然而，当其用于蓝色电致发光器件时，由于激子i穀才产生的电致发光，会导致 繊屯度的斷氐。如上所述，在电致发光器件的实际应用方面近期进展显著，其特征点在于 获得具有高亮度、多种电致发光波长种决速响应的薄型电致发光器件。对于具 有长寿命和高效率的器件而言，斷氏电力消耗是基本必需的。
技术实现思路
本专利技术人通过深入努力以克服上述传统技术的问题，专利技术了一种有机电致 发光器件，其中，在 之上的阳极和阴极之间插入由特定组合的化合物构成 的有机层，以实现高fef突屯度、高亮度和长寿命。本专利技术的目的是提供一种包括在 之上的阳极和阴极之间插入的有机层 的有机电致发光器件，其中，戶腿有机层包括含有一种或多种宿主化合物和一 种或多种掺杂化合物的电致发光层。本专利技术的另一目的是提供一种表现出高的发光效率、极佳的色彩纯度、低 的工作电压和良好的使用寿命的有机电致发光器件。因而，本专利技术涉及有机电致发光器件。更明确地，本专利技术的有机电致发光 器件特征在于，所述有机电致发光器件包括在 之上的阳极和阴极之间插入 的有机层，所述有机层包括含有一种或多种由化学式(1)表示的宿主化合物和 一种或多种由化学式(2)表示的掺杂化合物的电致发光层。其中，Ar" Ar2、 R,和R2^^地^M、氘、卣素、(C1—C60)烷基、(C6 —C60)芳基、(C4—C60)杂芳基、包含一个或多^自N、 O和S的杂原子 的五元或六元杂环烷基、(C3—C60)环烷基、三(C1—C60)烷基甲硅烷基、 二 (C1一C60)烷基(C6—C60)芳基甲^^烷基、三(C6—C60)芳基甲硅烷基、 金刚烷基、(C7—C60)双环驢、(C2—C60) 基、(C2—C60)炔基、(Cl —C60)烷氧基、氰基、(Cl—C60)烷基氨基、(C6—C60)芳基氨基、(C6— C60)芳基(Cl—C60)烷基、(C6—C60)芳氧基、(C6—C60)芳硫基、(Cl —C60)烷織羰基、羧基、硝基^^基、或选自如下结构的取代基；或它们中 的每一个可M31有或没有稠环的(C3—C60)亚'驢或(C3—C60)亚f繊基与 相邻的取代對目连，以形成脂环、或^f、或多环芳香环；化学式l28其中，R3至R"tei也^M、氖、卤素、(CI—C60)烷基、(C6—C60) 芳基、(C4—C60)杂芳基、包含一个或多个选自N、 O和S的杂原子的五元或 六元杂环烷基、(C3—C60)环烷基、三(CI—C60)烷基甲硅烷基、二 (Cl一 C60)烷基(C6—C60)芳基甲石圭;^基、三(C6—C60)芳基甲硅烷基、金冈鹏 基、(C7—C60)双环烷基、(C2—C60) ^!:希基、(C2—C60)鹏、(C1一C60) 烷氧基、氰基、(C1一C60)烷基氨基、(C6—C60)芳基氨基、(C6—C60)芳 基(C1一C60)烷基、(C6—C60)芳氧基、(C6—C60)芳硫基、(CI—C60) 烷氧基羰基、羧基、硝基鹏基；X和Y^l^地表示化学键、或—C(R21) (R22)—、 一N(R23)—、 一S—、 一0 —、—SDfe)—、 _P(R26)—、 —C(0=)—、 —B(R27)—、 —In(R28)—、 —Se 一、—Ge(R29)(R30)—、 —Sn(R31)(R32)—、 —Ga(R33)—或—(R34)C=C(R35)—;R^至R35独^i條^M、氘、卤素、(CI—C60)烷基、(C6—C60)芳基、 (C4一C60)杂芳基、包含一个或多^^自N、 0和S的杂原子的五元^A元杂 环烷基、(C3—C60)环烷基、三(CI—C60)烷基甲硅烷基、二 (CI—C60) 烷基(C6—C60)芳基甲硅烷基、三(C6—C60)芳基甲硅烷基、金刚烷基、(C7 —C60)双环烷基、(C2—C60)f對希基、(C2—C60)' 、 (C1—C60)烷氧基、 氰基、(CI—C60)離氨基、(C6—C60)芳基氨基、(C6—C60)芳基(Cl一 C60)烷基、(C6—C60)芳氧基、(C6—C60)芳硫基、(C卜C60)烷氧基羰基、 羧基、硝基^M基；或R21至R35中每一个可M有或没有稠环的(C3—C60) 亚烷基或(C3—C60)亚链烯基与相邻的取代基相连，以形成脂环、或单环或 多环芳香环；Ar,、 Ar2、 R,和R2中的'驢、麟基'鹏、环烷基、杂环烷基、芳基 杂芳基芳基甲硅烷基、烷基甲硅烷基、烷基氮基和芳基烷基可进一步，雌自 以下的一个或多个取代^l又代気、卤素、(C1—C60)烷基、(C6—C60)芳基、(C4一C60)杂芳基、包含一个或多个选自N、 0和S的杂原子的五元軟元杂本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机电致发光器件，它包括插入位于基板之上的阴极和阳极之间的有机层，其中，该有机层包括电致发光层，该电致发光层含有一种或多种由化学式（１）表示的宿主化合物和一种或多种由化学式（２）表示的掺杂化合物： 化学式１ ＊＊＊ 其 中，Ａｒ↓［１］、Ａｒ↓［２］、Ｒ↓［１］和Ｒ↓［２］独立地表示氢、氘、卤素、（Ｃ１－Ｃ６０）烷基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基、（Ｃ４－Ｃ６０）杂芳基、包含一个或多个选自Ｎ、Ｏ和Ｓ的杂原子的五元或六元杂环烷基、（Ｃ３－Ｃ６０）环烷基、三（Ｃ１－Ｃ６０）烷基甲硅烷基、二（Ｃ１－Ｃ６０）烷基（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基、三（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基、金刚烷基、（Ｃ７－Ｃ６０）双环烷基、（Ｃ２－Ｃ６０）链烯基、（Ｃ２－Ｃ６０）炔基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷氧基、氰基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷基氨基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基氨基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基（Ｃ１－Ｃ６０）烷基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳氧基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳硫基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷氧基羰基、羧基、硝基或羟基、或选自如下结构的取代基；或它们中每一个可通过有或没有稠环的（Ｃ３－Ｃ６０）亚烷基或（Ｃ３－Ｃ６０）亚链烯基连接到相邻的取代基上，以形成脂环、或单环或多环芳香环： ＊＊＊ 其中，Ｒ↓［３］至Ｒ↓［１５］分别表示氢、氘、卤素、（Ｃ１－Ｃ６０）烷基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基、（Ｃ４－Ｃ６０）杂芳基、包含一个或多个 选自Ｎ、Ｏ和Ｓ的杂原子的五元或六元杂环烷基、（Ｃ３－Ｃ６０）环烷基、三（Ｃ１－Ｃ６０）烷基甲硅烷基、二（Ｃ１－Ｃ６０）烷基（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基、三（Ｃ６－Ｃ６０）芳基甲硅烷基、金刚烷基、（Ｃ７－Ｃ６０）双环烷基、（Ｃ２－Ｃ６０）链烯基、（Ｃ２－Ｃ６０）炔基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷氧基、氰基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷基氨基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基氨基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳基（Ｃ１－Ｃ６０）烷基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳氧基、（Ｃ６－Ｃ６０）芳硫基、（Ｃ１－Ｃ６０）烷氧基羰基、羧基、硝基或羟基； Ｘ和Ｙ独立地表示化学键、或－Ｃ（Ｒ↓［２１］）（Ｒ↓［２２］）－、－Ｎ（Ｒ↓［２３］）－、－Ｓ－、－Ｏ－、－Ｓｉ（Ｒ↓［２４］）（Ｒ↓［２５］）－、－Ｐ（Ｒ↓［２６］）－、－Ｃ（Ｏ＝）－、－Ｂ（Ｒ↓［２７］）－、－Ｉｎ（Ｒ↓［２ ８］）－、－Ｓｅ－、－Ｇｅ（Ｒ↓［２９］）（Ｒ↓［３０］）－、－Ｓｎ（Ｒ↓［３１］）（Ｒ↓［３２］）－、－Ｇａ（Ｒ↓［３３］）...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金奉玉，金圣珉，尹胜洙，
申请(专利权)人：葛来西雅帝史派有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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