功率ＭＯＳ晶体管中接触孔隔离层的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种功率ＭＯＳ晶体管中接触孔隔离层的制备方法，在功率ＭＯＳ管形成源区之后，包括如下步骤：１）淀积一层厚度在２５００－４０００埃之间的未掺杂玻璃；２）接着淀积硼磷玻璃，之后进行热处理使所述硼磷玻璃回流，再回刻所述硼磷玻璃至预定厚度；３）利用光刻工艺在所述硼磷玻璃上定义出接触孔的位置；４）湿法刻蚀所述接触孔位置处的硼磷玻璃；５）干法刻蚀硼磷玻璃、未掺杂玻璃以及预定厚度的硅衬底，形成接触孔。本发明专利技术的方法可用于高台阶和深槽接触孔同时存在的情况下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种功率MOS晶体管中接触孔隔离层的制备方法。
技术介绍
在半导体集成电路中，典型的功率MOS晶体管接触孔隔离层的结构有两种，图1所 示为一种，另一种如图2所示。功率M0S晶体管中接触孔隔离层结构与形貌对器件性能至 关重要，它不但在工艺上影响后续金属填充，而且在电性能上也影响工作特性，再者对后道 的封装也有很大影响。好的接触孔结构与形貌决定了好的器件性能。图1和图2为传统的 两种接触孔隔离层结构与形貌。当器件内有深槽接触孔与高台阶同时存在时，这两种传统 工艺都不能完全满足工艺要求 如图1所示的结构，当M0S管有深槽接触孔并且其特征尺寸较小时，为了保证金属 能很好的填充，传统方法通常为用1500埃的未掺杂玻璃加上4200埃左右的硼磷玻璃(简 称BPSG)再加上钨塞来解决的。但是当器件中同时存在高台阶时，4200埃厚的BPSG(含硼 量为7.1% (摩尔百分比)，磷含量为4.8% (摩尔百分比))回流后并不能使台阶梯度变 缓，故在台阶间造成了钨残留。为解决这种缺陷，通常用图2中所示的方法。 为了解决台阶间钨残留问题，传统上用加厚BPSG层并提高其硼磷含量以得到好 的回本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率ＭＯＳ晶体管中接触孔隔离层的制备方法，其特征在于，在所述功率ＭＯＳ晶体管的源区形成之后，包括如下步骤：１）淀积一层厚度在２５００－４０００埃之间的未掺杂玻璃；２）接着淀积硼磷玻璃，之后进行热处理使所述硼磷玻璃回流，再回刻所述硼磷玻璃至预定厚度；３）利用光刻工艺在所述硼磷玻璃上定义出接触孔的位置；４）湿法刻蚀所述接触孔位置处的硼磷玻璃；５）干法刻蚀硼磷玻璃、未掺杂玻璃以及预定厚度的硅衬底，形成接触孔。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孙效中，李江华，张朝阳，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]