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本发明公开了一种功率ＭＯＳ晶体管中接触孔隔离层的制备方法，在功率ＭＯＳ管形成源区之后，包括如下步骤：１）淀积一层厚度在２５００－４０００埃之间的未掺杂玻璃；２）接着淀积硼磷玻璃，之后进行热处理使所述硼磷玻璃回流，再回刻所述硼磷玻璃至预定厚度...
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