一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法技术

本发明专利技术公开了一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法，涉及到半导体技术领域，所述HTCVD法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体，所述密封箱体右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门，所述密封门外侧固定贯穿设置于排气管，所述排气管端部固定连接有真空泵。本发明专利技术可以使上下料操作同时进行，进而简化操作步骤，缩短设备停机时间，以提高碳化硅晶体生产效率，同时在出料前以及进料后可以自动对原料气体的输入进行关闭以及开启，进一步降低操作难度的同时节约人力，更加适用于碳化硅晶体的工业化生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，特别涉及一种htcvd法碳化硅晶体生长方法。

技术介绍

1、在半导体照明衬底材料的应用方面，碳化硅的导热系数是蓝宝石的十倍，能更好地解决大功率半导体照明器件散热的技术难题，此外碳化硅材料作为衬底可做垂直结构发光体，理论上同样材料可以提高一倍的发光效率。

2、参考授权公告号cn1023047十字卡槽63的专利技术专利可知，该专利技术专利公开了一种连续型htcvd法碳化硅晶体生长装置，使用该装置进行碳化硅晶体的生产时，当碳化硅晶体在主腔室内部生长完成后，技术人员需要打开第一闸门，然后通过第一辅助腔室内的杆状部件将主腔室内的碳化硅晶体移动至第一辅助腔室内部，再关闭第一闸门，随后打开第二闸门，通过第二辅助腔室内的杆状部件将位于第二辅助腔室内部的籽晶再移动至主腔室内部，最后关闭第二闸门才算完成一个上下料流程。

3、参考上述过程中，由于碳化硅籽晶的上料过程与碳化硅晶体的下料过程存在先后顺序而未能同步发生，因此整体操作流程所需时间较长，进而会延长设备的停机时间，对于碳化硅晶体的生产效率仍旧存在一定影响。</p>

4、另外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法，其特征在于：所述HTCVD法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体(1)，所述密封箱体(1)右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门(11)，所述密封门(11)外侧固定贯穿设置于排气管(12)，所述排气管(12)端部固定连接有真空泵(13)，所述真空泵(13)与密封箱体(1)外壁固定连接，所述密封箱体(1)内部右侧固定设置有隔板(2)，所述隔板(2)上设置有第一驱动机构(3)，所述第一驱动机构(3)外侧由上至下依次传动设置有第一升降机构(4)与第二升降机构(5)，所述第二升降机构(5)两端均设置...

【技术特征摘要】

1.一种htcvd法碳化硅晶体生长方法，其特征在于：所述htcvd法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体(1)，所述密封箱体(1)右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门(11)，所述密封门(11)外侧固定贯穿设置于排气管(12)，所述排气管(12)端部固定连接有真空泵(13)，所述真空泵(13)与密封箱体(1)外壁固定连接，所述密封箱体(1)内部右侧固定设置有隔板(2)，所述隔板(2)上设置有第一驱动机构(3)，所述第一驱动机构(3)外侧由上至下依次传动设置有第一升降机构(4)与第二升降机构(5)，所述第二升降机构(5)两端均设置有籽晶承托机构(6)，两个所述籽晶承托机构(6)外侧分别设置有籽晶生长机构(7)与密封冷却机构(8)，所述籽晶生长机构(7)与密封冷却机构(8)均与第一升降机构(4)固定连接，所述籽晶生长机构(7)内部设置有第二驱动机构(9)，所述第二驱动机构(9)与第一驱动机构(3)传动连接；

2.根据权利要求1所述的一种htcvd法碳化硅晶体生长方法，其特征在于：所述籽晶生长机构(7)包括下壳体(71)、上壳体(72)、封堵板(73)、顶杆(74)和第二弹簧(75)。

3.根据权利要求2所述的一种htcvd法碳化硅晶体生长方法，其特征在于：所述下壳体(71)与密封箱体(1)内壁以及隔板(2)固定连接，所述上壳体(72)贴合于下壳体(71)顶部，所述封堵板(73)沿竖直方向滑动设置于下壳体(71)内腔底部，所述顶杆(74)...

【专利技术属性】
技术研发人员：何少龙，丁柳宁，
申请(专利权)人：浙江六方半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：