【技术实现步骤摘要】
本公开的领域涉及用于形成用于固持用于形成硅锭的硅熔融物的套装坩埚组合件的方法且特定来说，涉及用于形成用于在连续丘克拉斯基(czochralski)硅锭生长中使用的具有中心及内部堰的套装坩埚组合件的方法。本公开的领域还涉及坩埚模具及套装坩埚。
技术介绍
1、单晶硅锭可通过其中将单晶硅晶种与固持于坩埚内的硅熔融物接触的所谓的丘克拉斯基方法制备。从熔融物抽出单晶硅晶种以从熔融物提拉单晶硅锭。在其中最初在坩埚内熔融多晶硅的装料且从熔融物抽出硅锭直到坩埚内的熔融硅耗尽的批量系统中制备锭。替代地，可在其中在锭生长期间将多晶硅断续或连续地添加到熔融物以补充硅熔融物的连续丘克拉斯基方法中抽出锭。
2、在连续丘克拉斯基方法中，可将坩埚分成单独熔融区。例如，坩埚组合件可包含其中在硅锭生长时添加且熔融多晶硅以补充硅熔融物的外部熔融区。硅熔融物从外部熔融区流动到外部熔融区内的其中熔融物热稳定的稳定区。硅熔融物接着从稳定区流动到生长区，从所述生长区提拉硅锭。
3、常规地，用于通过连续丘克拉斯基方法生长硅锭的坩埚组合件可包含一或多个嵌套坩埚...
【技术保护点】
1.一种用于形成用于固持用于通过丘克拉斯基方法形成硅锭的硅熔融物的套装坩埚组合件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具包括多孔本体且通过毛细管作用将所述液体载剂汲取到所述模具中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多孔本体由多孔硅石制成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述生坯的水分含量从约30重量％到约50重量％。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在从约1300℃到约1650℃的温度下烧结所述生坯。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部通道、所述外部侧壁通道及所述...
【技术特征摘要】
1.一种用于形成用于固持用于通过丘克拉斯基方法形成硅锭的硅熔融物的套装坩埚组合件的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具包括多孔本体且通过毛细管作用将所述液体载剂汲取到所述模具中。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述多孔本体由多孔硅石制成。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述生坯的水分含量从约30重量％到约50重量％。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在从约1300℃到约1650℃的温度下烧结所述生坯。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述底部通道、所述外部侧壁通道及所述内部堰通道各自彼此流体连接。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述底部通道是修圆的。
8.根据权利要求7所述的方法，其中所述套装坩埚组合件包含单层底部。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述套装坩埚组合件是透明的。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述套装坩埚组合件包括：
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述模具包括内部堰支桩，所述内部堰支桩延伸穿过所述内部堰通道以在所述套装坩埚组合件的所述内部堰中形成开口以允许硅熔融物行进通过所述内部堰。
12.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述粉浆及/或坩埚模具以形成具有小于约1ppmw的钙浓度、小于约0.5ppmw的钠浓度、小于约0.5ppmw的钾浓度、小于约0.5ppmw的锂浓度及小于约0.5ppmw的铁浓度的套装坩埚组合件。
13.一种坩埚模具，其包括：
14.根据权利要求13所述的坩埚模具，其中所述上部分包括凸缘，所述凸缘搁置于所述下部分上。
15.根据权利要求13所述的坩埚模具，其中所述坩埚模具是多孔的。
16.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：R·J·菲利普斯，S·塞佩达，P·F·伯格曼三世，W·卢特尔，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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