【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料制备和材料掺杂，特别涉及一种单晶硅棒的电阻率调节方法。
技术介绍
1、硅单晶的电阻率与半导体器件有着密切的联系。现阶段，随着光伏发电以及新能源电动汽车领域的崛起，半导体功率器件需求日益旺盛，而这也导致了igbt等功率器件对晶棒电阻率特性要求也越来越高。在半导体材料制备过程中，通常是通过掺杂来调节硅单晶的电阻率，即通过向硅材料中引入杂质来调节其电性能。
2、在实际的晶棒制备过程中，经常由于掺杂的量无法准确控制，从而导致所拉制的晶棒无法满足客户所要求的打靶电阻率。而导致打靶电阻率不符合要求的原因通常是由于投放的杂质量本身不合适，或者由于放肩ng、等径头部ng需要回熔以及重新引晶等过程导致等径之前花费的时间太长，杂质挥发造成头部电阻率不按照理论预期呈现，尤其是对于重掺砷等重掺杂来说，该种情况更是经常出现。并且一旦头部电阻率超出打靶范围，很容易导致整根晶棒的电阻率也超出预定的范围。而晶棒的打靶电阻率达不到要求不仅使得晶棒的合格率大幅下降，而且需要花费更多的时间和成本来满足客户的要求。
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【技术保护点】
1.一种单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述肩状硅体的长度为2-3cm。
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：利用四探针电阻率检测仪对所述肩状硅体进行电阻率测量。
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述步骤4中，补掺标准的确定方法包括：
5.根据权利要求4所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，当惯用拉晶类型为掺杂剂的种类为砷，拉晶原料的总质量为140kg时，对...
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述肩状硅体的长度为2-3cm。
3.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述步骤3具体包括：利用四探针电阻率检测仪对所述肩状硅体进行电阻率测量。
4.根据权利要求1所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，所述步骤4中，补掺标准的确定方法包括：
5.根据权利要求4所述的单晶硅棒的电阻率调节方法，其特征在于，当惯用拉晶类型为掺杂剂的种类为砷，拉...
【专利技术属性】
技术研发人员：王忠保，芮阳，赵娜，王黎光，曹启刚，马成，白园，张昆，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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