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本发明提供了一种单晶硅棒的电阻率调节方法，涉及半导体材料制备和材料掺杂技术领域，该方法包括以下步骤：步骤1：配制原料、化料、化料完毕后进行单晶硅拉制；步骤2：在放肩开始后及在等径开始前结束拉晶，并将拉制的肩状硅体取出；步骤3：针对肩状硅体进...
该专利属于宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司授权不得商用。

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