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本发明公开了一种HTCVD法碳化硅晶体生长方法，涉及到半导体技术领域，所述HTCVD法碳化硅晶体生长方法通过碳化硅晶体生长设备实现，所述碳化硅晶体生长设备包括密封箱体，所述密封箱体右侧开设于进出料通道，所述进出料通道外侧设置有密封门，所述密...
该专利属于浙江六方半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江六方半导体科技有限公司授权不得商用。

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