【技术实现步骤摘要】
本专利技术提出了一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，涉及半导体生长，特别涉及碳化钽涂层石墨部件制备。
技术介绍
1、在第三代半导体sic和gan生产过程中，现有的sic涂层石墨圆盘和bn涂层石墨圆盘在高温下会与氢气和氨气等腐蚀性气体发生化学反应，导致在生产过程中石墨材料暴露在空气中，石墨材料中的杂质及腐蚀性气体对石墨材料造成破坏，从而影响晶体生长的质量。
2、碳化钽(tac)陶瓷是一种在3000℃以上的超高温环境中能够保持良好机械性能的材料，其熔点可达3880℃，具有高比强度、抗氧化和耐烧蚀性能好等特点。这些特点可以使得tac涂层在苛刻的半导体环境中仍然保持一种稳定的状态，是一种应用前景极大的涂层材料。然而，碳化钽tac材料本身硬度和脆性大，同时tac陶瓷的热膨胀系数与石墨基底的热膨胀系数相差甚大，导致石墨基底跟涂层表面晶胞存在一定的裂缝，导致tac涂层结合度不高，甚至脱落的现象，从而产生碳化钽涂层的强度降低、寿命短、实用性不高等问题。因此，现有技术需要进行改进。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述S1包括：
3.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述S2包括：
4.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述S3包括：
5.一种用于实现如权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法的制备系统，其特征在于，所述制备系统包括：
6.根据权利要求5所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法的制备系统，其特征在于，所述初
【技术特征摘要】
1.一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述s1包括：
3.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述s2包括：
4.根据权利要求1所述一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，其特征在于，所述s3包括：
5.一种用于实现如权利要求1所述一种碳化...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡任浩，何少龙，朱世相，李翔翔，丁柳宁，
申请(专利权)人：浙江六方半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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