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本发明提出了一种碳化钽涂层石墨部件的制备方法，涉及半导体生长技术领域，对石墨基底进行初步处理；通过低温工艺方法对石墨基底表面预涂碳化钛涂层，获得缓冲过渡层；通过变温工艺方法对过渡层表面涂碳化钛涂层，进行温度变换；变温工艺方法只变温生长一次或...
该专利属于浙江六方半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江六方半导体科技有限公司授权不得商用。

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