【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。在此
技术介绍
部分中描述的信息以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
2、本公开涉及电容耦合等离子体处理设备。更具体地，本公开涉及提供在电容耦合等离子体处理设备中使用的部件或提供部件的方法。
3、电容耦合等离子体处理设备具有面向等离子体的表面，其承受腐蚀该面向等离子体的表面的电压。因此，许多电容耦合等离子体处理设备具有硅的面向等离子体的表面，因为硅的侵蚀形成不会污染处理的挥发性副产物。面向等离子体的表面的侵蚀需要定期更换电容耦合等离子体处理设备的部件。此外，面向等离子体的表面的侵蚀导致处理漂移。
技术实现思路
1、为了实现前述的目的且根据本公开的目的，提供了一种用于处理衬底的装置。电容耦合等离子体电极在电容耦合等离子体处理室内。等离子体约束部件在该电容耦合等离子体处理室内，其中该电容耦合等离子体电极和等离子体约束部件中的至少一者包含：金属部件主...
【技术保护点】
1.一种用于处理衬底的装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其还包含在所述面向等离子体的表面与所述等离子体喷涂层之间的阳极氧化层，且其中所述金属部件主体包含铝或铝合金。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体喷涂层包含氧化钇铝、尖晶石(立方晶系中的MgAl2O4)、以及氧化镧锆(LZO)中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体喷涂层具有的厚度为50μm至200μm，包括端点值，以及粗糙度为2μm至10μmRA，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体约束部件为接地
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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于处理衬底的装置，其包含：
2.根据权利要求1所述的装置，其还包含在所述面向等离子体的表面与所述等离子体喷涂层之间的阳极氧化层，且其中所述金属部件主体包含铝或铝合金。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体喷涂层包含氧化钇铝、尖晶石(立方晶系中的mgal2o4)、以及氧化镧锆(lzo)中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体喷涂层具有的厚度为50μm至200μm，包括端点值，以及粗糙度为2μm至10μmra，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的装置，其中所述等离子体约束部件为接地的。
6.根据权利要求1所述的装置，其还包含在所述面向等离子体的表面与所述等离子体喷涂层之间的阳极氧化层，其中所述金属部件主体包含铝或铝合金，且其中所述金属部件主体的表面的部分未被所述阳极氧化层和所述等离子体喷涂层覆盖以便使所述等离子体约束部件接地。
7.根据权利要求1所述的装置，其中所述金属部件主体包含第一金属部件和机械连接至所述第一金属部件的第二金属部件。
8.根据权利要求7所述的装置，其中所述第一金属部件和所述第二金属部件主要由铝或铝合金构成。
9.根据权利要求1所述的装置，其还包含在所述面向等离子体的表面与所述等离子体喷涂层之间的阳极氧化层，其中所述金属部件主体包含铝或铝合金，且其中所述阳极氧化层是未密封的阳极氧化层。
10.根据权利要求1所述的装置，其还包含在所述面向等离子体的表面与所述等离子体喷涂层之间的阳极氧化层，其中所述金属部件主体包含铝或铝合金，其中所述金属部件主体具有多个带有侧壁的孔，且其中所述侧壁的表面被所述阳极氧化层和所述等离子体喷涂层覆盖。
11.一种用于根据权利要求1-10中任一项所述的装置中的等离子体约束部件。
12.一种用于根据权利要求1-10中任一项所述的装置中的电容耦合等离子体电极。
13.一种用于形成和使用电容耦合等离子体处理室的等离子体约束部件的...
【专利技术属性】
技术研发人员：许临，萨蒂什·斯里尼瓦桑，大卫·约瑟夫·韦策尔，斯科特·布里格斯，安德鲁·D·贝利三世，宋艺伟，刘磊，罗宾·科什伊，迈克尔·朱利叶斯·金斯勒，约翰·迈克尔·克恩斯，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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