一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种在集成电路仿真平台上标注ＭＯＳ管的方法及其装置，其方法包括：第一判断步骤：判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史数据送入布局算法步骤进行计算；输入步骤，用户输入ＭＯＳ管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出；布局算法步骤，对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算，输出ＭＯＳ管计算值ＭＯＳ′；第二判断步骤：将ＭＯＳ管计算值ＭＯＳ′与所需要标注的目标ＭＯＳ管ＭＯＳ″进行是否一致的判断，当“不一致”时，反馈至所述输入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当“一致”时，进行ＭＯＳ管ＭＯＳ″标注，存储已经标注的ＭＯＳ管ＭＯＳ″的参数信息至历史数据库。本发明专利技术提升ＭＯＳ管标注的效率。

Method and device for marking MOS tube on integrated circuit simulation platform

The invention relates to a method and device labeling MOS tube in the integrated circuit simulation platform, the method includes: a first judgment: judging whether the historical database of historical data, when historical data, direct access to historical data into the layout algorithm steps are evaluated; the input step of user input MOS endpoint information, and the output corresponding to the endpoint coordinates; layout algorithm steps, endpoint coordinates of the output information, or get to the historical data, the layout algorithm, the calculated value of MOS' output MOS tube; the second step of determining: MOS calculation value MOS' and the need to label target MOS MOS \whether or not the same judgment, when\ inconsistent \, feedback to the input of the input end information step Mark the storage step, and when consistent, make the MOS pipe \MOS\ callout and store the parameter information of the labeled MOS pipe \MOS\ to the historical database. The invention improves the efficiency of the annotation of the MOS tube.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路(IC)电子设计自动化(EDA)领域，特别指一种 在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及其装置。
技术介绍
一、 集成电路电子设计自动化(EDA)电子设计自动化(EDA)是从计算机辅助设计(CAD)、计算机辅助制造 (CAM)、计算机辅助测试(CAT)和计算机辅助工程(CAE)的概念发展而 来的。它以计算机为工具，以EDA软件为平台，极大地提高了集成电路设计 的效率。EDA软件构成了一个集成电路仿真平台，在这个平台上，设计者利用软件 提供的各种功能，完成集成电路设计。它是现代集成电路设计所不可缺少的技 术手段，电路工程师依靠它完成集成电路的设计、仿真、测试，最后得到符合 目标的芯片。具体表现为在各种工具软件，如让用户输入电路图、版图的编辑 软件，将高级语言编译成基本电路的综合软件，检查电气规则、版图规则等各 种设计规范的软件，等等。从功能上看，每种EDA软件都是将一种数据转换成另一种数据，每种数 据都是从某个角度描述部分或整个电路。比如，描述功能结构的电路图，描述 生产结构的版图，描述连接关系的网表，等等。整个集成电路设计流程就是通 过各种设计工具，将面向设计者的数据一步步转换成面向生产的数据。比如， 编辑软件将用户的鼠标、键盘输入转换成结构化的电路描述，网表生成软件将 结构化的电路描述转换到便于计算机处理的描述连接关系的网表，布局布线软 件将网表转换到便于生产的版图，等等。二、 集成电路标注集成电路标注是一种介于生产形式和的电子信息之间的描述形式，用于表示实际生产出来的元件和连接关系。它包括全部连接相关信息，如元件、接口、 连线等；还包括部分可选的生产相关的图形信息，如元件范围、栅极图形、连 线路径、连线所在层、通孔位置等。为了便于用户阅读，部分元件图形可以采 用简化方式，如用一个代表元件范围的矩形和数个代表元件端口的矩形所构成 的符号代表整个元件，省略元件的有源区、阱等其它用于生产的图形；又如用 细化的线代替有宽度的连线，用小圆孔代替固定大小的方孔。 一般来说，集成 电路标注包括元件、端口、连线、通孔、文本等基本元素。集成电路标注编辑器是将用户输入转换成集成电路标注的软件工具。软件 接受包括键盘、鼠标按键及坐标的用户输入，剔除其中的非法操作，将剩下的 信息翻译成各种元素的位置、大小、朝向等数据。三、 MOS管标注集成电路版图的一个显著特点就是元件数量多，金属氧化物半导体场效应 晶体管(MOSFET，以下简称MOS管)是集成电路标注中最基本的一种元件， 其数量相当庞大。该标注元件包括范围、端口位置、栅长度(L)、栅宽度(W)、 重复个数(M)等必需信息；可以选择包括栅图形等方便用于阅读的信息。四、 已有MOS管标注方法 目前已有的MOS管标注方法分为两类。一类方法是将MOS管做成和非门、与门类似的模板，输入坐标即可标注 一个MOS管。其缺点是每个模板只能有一种尺寸(W、 L)，不同尺寸需要创 建不同的模板。通常，模拟电路和定制电路中包含多种不同尺寸的MOS管， 需要定义多个模板，不利于管理和使用。另一类方法是每标注一个MOS管就输入它的范围、栅极图形、端口位置。 比如，第一步输入MOS管范围的两个点坐标，第二步输入代表栅图形的两个 或多个点坐标，第三部输入端口位置坐标。其缺点是每个MOS管都需要固定 数量的坐标输入，输入数据量比较大。图1示出传统的要求用户输入全部MOS 管参数信息的MOS管标注方法的流程图。因此，现在已有的两种MOS管标注方法或者需要创建很多模版，难于管 理，或者需要用户输入MOS管的全部信息。由此两者的MOS管标注效率一 直较低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法及 其装置，以通过该方法及装置来提升MOS管标注的效率。本专利技术之一 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的装置。包括历 史数据判断模块，用于对历史数据库是否为"空"进行判断当"空"时输出 "无历史数据"结果；当非"空"时输出"有历史数据"结果；输入数据模块， 对于所述历史数据判断模块输出为"无历史数据"结果时，该输入数据模块接 受用户输入的MOS管端点信息，以相应端点坐标信息进行输出；布局算法模 块，用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历 史数据，进行布局算法计算，输出MOS管计算值MOS';判断比较模块，用于 将所述布局算法模块输出的MOS管计算值MOS'与所需要标注的目标MOS管 MOS"进行是否一致的判断，输出"一致"或"不一致"结果，当"不一致"时， 反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息；标注存储模块，用于对所述 判断比较模块输出为"一致"结果的目标MOS管MOS"进行标注，并存储该已 经标注的目标MOS管MOS"的参数信息至历史数据库。在上述的标注MOS管的装置中，布局算法模块包括依次连接朝向计算(Fl) 模块、栅计算(F2)模块及端口计算(F3)模块。在上述的标注MOS管的装置中，输入数据模块接受用户输入的MOS管端 点信息为不定长的端点信息，即MOS管的部分或全部参数信息。在上述的标注MOS管的装置中，MOS管端点信息包括MOS管位置、有 源区信息、朝向、栅信息、栅宽、栅长、端口位置。本专利技术之二 一种在集成电路仿真平台上标注MOS管的方法。包括第 一判断步骤判断历史数据库是否有历史数据，当有历史数据时，直接取历史 数据送入布局算法步骤进行计算；当无历史数据时，进入输入步骤；输入步骤， 用户输入MOS管端点信息，并以相应端点坐标信息进行输出；布局算法步骤， 对所述的输出的端点坐标信息，或对所述取得的历史数据，进行布局算法计算， 输出MOS管计算值MOS';第二判断步骤将MOS管计算值MOS'与所需要标 注的目标MOS管MOS"进行是否一致的判断，当"不一致"时，反馈至所述输 入步骤进行补充输入端点信息；标注存储步骤，当第二判断步骤判断为"一致"时，进行MOS管MOS"标注，存储已经标注的MOS管MOS"的参数信息至历史 数据库。在上述的标注MOS管的方法中，布局算法步骤包括依次进行的朝向计算 (Fl)、栅计算(F2)及端口计算(F3)。在上述的标注MOS管的方法中，输入步骤中用户输入MOS管端点信息为 不定长的端点信息，即MOS管的部分或全部参数信息。在上述的标注MOS管的方法中，朝向计算(Fl)的内容包括有源区的 两个输入端点，当由左上至右下时，朝向为上；当由右下至左上时，朝向为下； 当由右上至左下时，朝向为右；当由左下至右上时，朝向为左。在上述的标注MOS管的方法中，栅计算(F2)的内容包括栅按朝向穿 过有源区，在朝向方向高出最小线宽；在反方向，高出最小线宽的一半。在上述的标注MOS管的方法中，端口计算(F3)的内容包括G端口位 于栅上有源区外高出最小线宽部分的中心，由栅计算(F2)模块计算得到的栅 将有源区分为两部分，S端口、 D端口分别在该两部分的中心。本专利技术由于采用了以上技术方案，使其具有以下的优点和特点1、 高效性。本专利技术的MOS管标注方法，由于采用了历史数据记忆、MOS 管参数动态计算，使用户不需要输入MOS管的全部参数信息，就可标注完成 一个MOS管。大大提升了 MOS管标注的效率；2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在集成电路仿真平台上标注ＭＯＳ管的装置，特征在于，包括：　历史数据判断模块，用于对历史数据库是否为“空”进行判断：当“空”时输出“无历史数据”结果；当非“空”时输出“有历史数据”结果；　输入数据模块，对于所述历史数据判断模块 输出为“无历史数据”结果时，该输入数据模块接受用户输入的ＭＯＳ管端点信息，以相应端点坐标信息进行输出；　布局算法模块，用于接受所述输入数据模块输出的端点坐标信息或接受历史数据库中的历史数据，进行布局算法计算，输出ＭＯＳ管计算值ＭＯＳ′ ；　判断比较模块，用于将所述布局算法模块输出的ＭＯＳ管计算值ＭＯＳ′与所需要标注的目标ＭＯＳ管ＭＯＳ″进行是否一致的判断，输出“一致”或“不一致”结果，当“不一致”时，反馈至所述输入数据模块进行补充输入端点信息；　标注存储模块， 用于对所述判断比较模块输出为“一致”结果的目标ＭＯＳ管ＭＯＳ″进行标注，并存储该已经标注的目标ＭＯＳ管ＭＯＳ″的参数信息至历史数据库。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚海平，
申请(专利权)人：圣景微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]