基于高压ＤＭＯＳ实现的电平转换电路制造技术

基于高压ＤＭＯＳ实现的电平转换电路，通过低压模块将低压信号转换为高压信号，所述低压模块包括高压ＤＭＯＳ栅源控制电路以及高压ＤＭＯＳ，所述高压ＤＭＯＳ栅源控制电路接收低压信号，高压ＤＭＯＳ栅源控制电路的第一控制端和第二控制端在高压ＤＭＯＳ的栅极与源极之间提供恒定电压，当恒定电压大于高压ＤＭＯＳ阈值电压时，高压ＤＭＯＳ导通。本实用新型专利技术通过直接控制高压ＤＭＯＳ的源漏间电压实现电平转换电路，可以在全温度范围内有效保证高压ＤＭＯＳ的适时关断和导通，而无须关心ＢＣＤ工艺中高压ＤＭＯＳ的导通电阻的离散性，保证电平转换电路的高压模块能获得低压模块的信号，有效地提高高压集成电路的合格率，实现方法简单。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

Level conversion circuit based on high voltage DMOS

DMOS level high voltage conversion circuit based on low voltage low voltage signal through the module will be converted to voltage signal, the low voltage high voltage DMOS gate source module comprises a control circuit and a high voltage DMOS, the high voltage DMOS gate source control circuit receives the first control signal of low voltage, high voltage DMOS control terminal and the second gate source control circuit of the end constant the voltage between the gate and the source voltage of DMOS, when the constant voltage is greater than the threshold voltage of DMOS high voltage, high voltage DMOS conduction. The utility model by direct control of high voltage DMOS between source and drain voltage level conversion circuit, can be timely turn off and turn the high voltage DMOS through effective guarantee in the whole temperature range, dispersion without concern for high voltage DMOS BCD process on resistance, high signal level conversion circuit module can achieve low voltage module guarantee, effectively improve the qualified rate of the high voltage integrated circuit, a simple realization method.

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于高压ＤＭＯＳ实现的电平转换电路，其特征在于通过低压模块将低压信号转换为高压信号，所述基于高压ＤＭＯＳ实现的电平转换电路的低压模块包括高压ＤＭＯＳ栅源控制电路以及高压ＤＭＯＳ，所述高压ＤＭＯＳ栅源控制电路接收所述低压信号，高压ＤＭＯＳ栅源控制电路的第一控制端和第二控制端分别连接所述高压ＤＭＯＳ的栅极和源极，在高压ＤＭＯＳ的栅极与源极之间提供恒定电压，若所述恒定电压大于高压ＤＭＯＳ的阈值电压，由于所述第三电平ＶＢ向高压ＤＭＯＳ的漏极供电，高压ＤＭＯＳ导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，
申请(专利权)人：杭州士兰微电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：86[中国|杭州]