一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路，其由脉冲产生电路、第一ＭＯＳ管、第二ＭＯＳ管、第一比较器、第二比较器、逻辑电路及ＲＳ触发器构成，由于接入第一比较器的第一基准电压小于接入第二比较器的第二基准电压，通过调节第一ＭＯＳ管和第二ＭＯＳ管的宽长比，使第一ＭＯＳ管导通时第一ＭＯＳ管与第二ＭＯＳ管的漏极的公共连接端处电压大于第一基准电压的值且小于第二基准电压的值，使第二ＭＯＳ管导通时公共连接端处的电压小于第一基准电压，这样当该电平转移电路正常工作时，其输出一个与输入信号一致的电平信号，而当因干扰信号引起该电平转移电路工作时，其输出一个固定电平，该固定电平将关断该电平转移电路驱动的后续电路，从而达到了保护后续电路的功能。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种电平转移技术，尤其是涉及一种具有抗干扰保护功能的电平 转移电路。
技术介绍
在许多集成电路中，为满足集成电路中不同半导体器件的耐压要求，需要将较低 的电平信号转换成较高的电平信号，或者将较高的电平信号转换成较低的电平信号，电平 转移(Level shift)技术即用于实现这种功能。传统的电平转移电路通常是直接将输入信号转换成一个与输入信号相位一致的 输出信号。如果是集成电路需要的输入信号送入到电平转移电路的输入端时，集成电路保 持正常工作状态。但是，如果在电平转移电路的输入端产生一个干扰信号，则电平转移电路 的输出端输出的输出信号则带有不确定性，可能输出一个高电平，也可能输出一个低电平。 这种传统的电平转移电路输出信号的不确定性有可能会对集成电路中的半导体器件造成 不可恢复的损坏，典型的例子如用电平转移电路驱动半桥驱动电路，如果电平转移电路的 输出端输出的输出信号用来驱动高压侧的N型MOSFEF管，那么当低压侧的N型MOSFET管导 通的同时，在电平转移电路的输入端会产生一个干扰信号，该干扰信号触发电平转移电路 工作，则电平转移电路可能输出一个高电平让高压侧的N型MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有抗干扰保护功能的电平转移电路，其特征在于包括脉冲产生电路、第一ＭＯＳ管、第二ＭＯＳ管、上拉电阻、第一比较器、第二比较器、逻辑电路和ＲＳ触发器，所述的脉冲产生电路的输入端接入输入信号，所述的脉冲产生电路的第一输出端输出在输入信号的上升沿时产生的脉冲信号，所述的脉冲产生电路的第二输出端输出在输入信号的下降沿时产生的脉冲信号，所述的脉冲产生电路的第一输出端与所述的第一ＭＯＳ管的栅极相连接，所述的脉冲产生电路的第二输出端与所述的第二ＭＯＳ管的栅极相连接，所述的第一ＭＯＳ管的源极和衬底及所述的第二ＭＯＳ管的源极和衬底均接地，所述的第一ＭＯＳ管的漏极和所述的第二ＭＯＳ管的漏极相连接，其公共连接端分...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚海霆，
申请(专利权)人：日银IMP微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]