本实用新型专利技术公开了一种增强抗干扰性电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和电容，所述第一二极管的负极端连接至高低压保护端，所述第一二极管的正极端通过第一电阻与电源端连接，所述第一二极管的正极端分别与第二电阻的第一端、电容的第一端和第二二极管的负极端连接，所述电容的第二端分别与第二二极管的正极端和地连接。本实用新型专利技术通过在接入控制器扩展接口芯片前接入用于分压的第二电阻，从而避免控制器扩展接口芯片的电压过高导致芯片烧坏。而且通过接入第二二极管能有效提高负电压干扰信号的衰减速度，从而大大增强电路的抗干扰性，使得电路对高低压保护的检测更为准确灵敏。本实用新型专利技术可广泛应用于电子电路领域。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种增强抗干扰性电路。
技术介绍
传统热栗机组的高低压保护接口连接到控制器后，受到干扰信号的影响时，将出现以下问题:当出现较强的正电压干扰时，将很容易引起接入控制器扩展接口芯片的电压过高导致芯片烧坏；当出现较强的负电压干扰时，电容中积累的电量不能及时放出，将导致加在芯片上的电压过大，从而很容易造成芯片损坏，使得电路的稳定性受到影响；以上两个问题均将导致控制器不能准确检测机组高低压保护开关的状态。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本技术的目的是提供一种结构简单，且能提高稳定性的增强抗干扰性电路。本技术所采用的技术方案是:—种增强抗干扰性电路，包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和电容，所述第一二极管的负极端连接至高低压保护端，所述第一二极管的正极端通过第一电阻与电源端连接，所述第一二极管的正极端分别与第二电阻的第一端、电容的第一端和第二二极管的负极端连接，所述电容的第二端分别与第二二极管的正极端和地连接，所述第二电阻的第二端作为用于与外部芯片连接的连接端。作为本技术的进一步改进，还包括有第三二极管，所述第三二极管的负极端与电源端连接，所述第三二极管的正极端与第一二极管的正极端连接。作为本技术的进一步改进，所述第二电阻的第二端连接有控制器扩展接口芯片，所述控制器扩展接口芯片连接有控制器主芯片。作为本技术的进一步改进，所述第二电阻的电阻值为1kQ。本技术的有益效果是:本技术一种增强抗干扰性电路结构简单，通过在接入控制器扩展接口芯片前接入用于分压的第二电阻，分担正电压干扰，从而避免控制器扩展接口芯片的电压过高导致芯片烧坏。而且通过接入第二二极管能有效提高负电压干扰信号的衰减速度，从而大大增强电路的抗干扰性，使得电路对高低压保护的检测更为准确灵敏。进一步，本技术通过第三二极管能有效提高正电压干扰信号的衰减速度，大大提高电路的稳定性。【附图说明】下面结合附图对本技术的【具体实施方式】作进一步说明:图1是本技术一种增强抗干扰性电路的电路原理图。【具体实施方式】参考图1，本技术一种增强抗干扰性电路，包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一二极管VD1、第二二极管VD2和电容C，所述第一二极管VDl的负极端连接至高低压保护端DIN，所述第一二极管VDl的正极端通过第一电阻Rl与电源端连接，所述第一二极管VDl的正极端分别与第二电阻R2的第一端、电容C的第一端和第二二极管VD2的负极端连接，所述电容C的第二端分别与第二二极管VD2的正极端和地连接，所述第二电阻R2的第二端作为用于与外部芯片连接的连接端。进一步作为优选的实施方式，还包括有第三二极管VD3，所述第三二极管VD3的负极端与电源端连接，所述第三二极管VD3的正极端与第一二极管VDl的正极端连接。进一步作为优选的实施方式，所述第二电阻R2的第二端连接有控制器扩展接口芯片，所述控制器扩展接口芯片连接有控制器主芯片。本技术具体实施例中，所述第二电阻R2的电阻值为1kQ。电源端为5V。当出现较大的正电压干扰时，所述在控制器扩展接口芯片前接入的第二电阻R2能有效进行分压，从而保证输入控制器扩展接口芯片的电压在其正常工作的电压范围内。所述与第一电阻Rl并联的第三二极管VD3能使正电压干扰信号能通过其进行衰减，从而提高正电压干扰信号的衰减速度，能有效控制接入控制器扩展接口芯片的第二电阻R2前的电压维持在5.7V左右，大大提高电路的稳定性。当出现较大的负电压干扰时，所述与电容C正向并联的第二二极管VD2能使负电压干扰信号通过其进行衰减，从而提高负电压干扰信号的衰减速度，能有效控制接入控制器扩展接口芯片的分压电阻前的电压维持在-0.7V左右，大大增强电路的抗干扰性，使得电路对高低压保护的检测更为准确灵敏。以上是对本技术的较佳实施进行了具体说明，但本技术创造并不限于所述实施例，熟悉本领域的技术人员在不违背本技术精神的前提下还可做作出种种的等同变形或替换，这些等同的变形或替换均包含在本申请权利要求所限定的范围内。【主权项】1.一种增强抗干扰性电路，其特征在于:包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和电容，所述第一二极管的负极端连接至高低压保护端，所述第一二极管的正极端通过第一电阻与电源端连接，所述第一二极管的正极端分别与第二电阻的第一端、电容的第一端和第二二极管的负极端连接，所述电容的第二端分别与第二二极管的正极端和地连接，所述第二电阻的第二端作为用于与外部芯片连接的连接端。2.根据权利要求1所述的一种增强抗干扰性电路，其特征在于:还包括有第三二极管，所述第三二极管的负极端与电源端连接，所述第三二极管的正极端与第一二极管的正极端连接。3.根据权利要求1所述的一种增强抗干扰性电路，其特征在于:所述第二电阻的第二端连接有控制器扩展接口芯片，所述控制器扩展接口芯片连接有控制器主芯片。4.根据权利要求1所述的一种增强抗干扰性电路，其特征在于:所述第二电阻的电阻值为1kQ 0【专利摘要】本技术公开了一种增强抗干扰性电路包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和电容，所述第一二极管的负极端连接至高低压保护端，所述第一二极管的正极端通过第一电阻与电源端连接，所述第一二极管的正极端分别与第二电阻的第一端、电容的第一端和第二二极管的负极端连接，所述电容的第二端分别与第二二极管的正极端和地连接。本技术通过在接入控制器扩展接口芯片前接入用于分压的第二电阻，从而避免控制器扩展接口芯片的电压过高导致芯片烧坏。而且通过接入第二二极管能有效提高负电压干扰信号的衰减速度，从而大大增强电路的抗干扰性，使得电路对高低压保护的检测更为准确灵敏。本技术可广泛应用于电子电路领域。【IPC分类】H02H9/04【公开号】CN204858546【申请号】CN201520469807【专利技术人】吴洁云, 高翔, 刘远辉, 李建强 【申请人】广东芬尼克兹节能设备有限公司【公开日】2015年12月9日【申请日】2015年7月1日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种增强抗干扰性电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第一二极管、第二二极管和电容，所述第一二极管的负极端连接至高低压保护端，所述第一二极管的正极端通过第一电阻与电源端连接，所述第一二极管的正极端分别与第二电阻的第一端、电容的第一端和第二二极管的负极端连接，所述电容的第二端分别与第二二极管的正极端和地连接，所述第二电阻的第二端作为用于与外部芯片连接的连接端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴洁云，高翔，刘远辉，李建强，
申请(专利权)人：广东芬尼克兹节能设备有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。