抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室技术

一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，其具有小于１０欧姆－厘米的电阻率，可以被用作反应室的射频通道。在本发明专利技术的另一实施例中，所述反应室部件至少包括连接在一起的第一导电基体及第二导电基体，所述第二导电基体由氧化钇材料和少量掺杂元素经过烧结或热压制成，并具有低于１０欧姆－厘米的电阻率。

Reaction chamber member for plasma corrosion resistance, process for producing the same, and plasma reaction chamber containing the same

A plasma reaction chamber anti corrosion of components for plasma reaction chamber, made of yttrium oxide material and a small amount of doping elements, its resistivity is less than 10 ohm cm -, RF channel can be used as the reaction chamber. In another embodiment of the invention, the reaction chamber includes at least parts connected together the first conductive substrate and two conductive substrate, wherein the second conductive matrix composed of yttrium oxide material and a small amount of doping elements after sintering or hot pressing, and has a resistivity of less than 10 ohms - cm.

【技术实现步骤摘要】
抗等离子体腐蚀的反应室部件、 其制造方法以及包含该部件的等离子体反应室
本专利技术涉及半导体工艺处理设备，尤其涉及一种用于等离子体反应室 的抗等离子体腐蚀的反应室部件、其制造方法以及包含该部件的等离子体 反应室。
技术介绍
半导体制程包括一系列的制程步骤，以于一半导体衬底、基片或晶片 上制造出许多定义的集成电路。等离子体反应室被广泛地用于半导体制造 中。为了在等离子体反应室中产生等离子体，该等离子体反应室内部需要 被抽成真空，然后再注入前驱气体，并将射频能量耦合到等离子体反应室 内，再将前驱气体激发到等离子体状态，从而在半导体衬底、基片或晶片 上处理各种物质层。然而在等离子体反应室的处理过程中，等离子体反应 室的某些部件表面会暴露在等离子体中，受到不同程度的等离子体腐蚀。 比如，在等离子体蚀刻处理过程中，等离子体反应室的某些部件表面会暴 露在等离子体蚀刻气体中，这些暴露的表面常常会被那些等离子体蚀刻气体所腐蚀，例如常被用作蚀刻气体的CF4， C4F8等含卣化合物，其能迅速地腐蚀反应室的部件表面。反应室部件表面的腐蚀是不被期望的，因为 被腐蚀部件的粒子经常从部件剥落，落在处理室中正被处本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于等离子体反应室的抗等离子体腐蚀的反应室部件，其至少包含一表面暴露于所述等离子体反应室内产生的等离子体中，所述反应室部件由氧化钇材料和少量掺杂元素制成，并具有低于１０欧姆－厘米的电阻率。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吴万俊，倪国强，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]