薄膜晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管及其制作方法，该薄膜晶体管包括：有源层，有源层包括金属氧化物半导体薄膜；钝化层，形成在有源层上，钝化层包括氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜；以及源极和漏极，设置在钝化层上的两端，源极和漏极分别与有源层电连接。本发明专利技术提供的薄膜晶体管能够在光偏置应力、温度波动等不利因素下保持高可靠性和稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的至少一种实施例涉及一种半导体器件，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制作方法。

技术介绍

1、随着先进显示和新型存储的大范围应用，研制具有高迁移率、高可靠性的薄膜晶体管(thin film transistors，tfts)已经成为一个非常热门的研究课题。非晶氧化物半导体(amorphous oxide semiconductor，aos)作为目前最主流的tfts有源沟道材料，具有许多引人注目的优点，如较高的迁移率、优良的柔韧性、较高的光学透明度以及简单的低温制备工艺等。

2、然而，对于高性能先进显示器件而言，它们既要求作为驱动和开关元件的tfts具有非常高的迁移率，也要求tfts具有很高的稳定性和可靠性，包括光照环境下的可靠性、长时间偏压下的稳定性，以及不同温度下的可靠性等。解决这些问题通常涉及精心选择材料、设计器件和封装技术，以提高氧化物半导体tft的稳定性和可靠性，以适应各种先进显示驱动和高速存储等应用。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法，以在保持高迁本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构的薄膜晶体管；

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜中的氟相对含量为5％～50％。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层(4)的厚度为5nm～30nm。

6.一种如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构的薄膜晶体管；

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氟等离子体处理后的金属氧化物半导体薄膜中的氟相对含量为5％～50％。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述钝化层(4)的厚度为5nm～30nm。

6.一种如权利要求1～5中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：李雨轩，王嘉义，王盛凯，尤楠楠，徐杨，李泠，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：