一种ＭＭＩＣ　ＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器制造技术

一种ＭＭＩＣ　ＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器，在ＭＭＩＣ　ＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器输出端口（３）上加载由第一马刺狭孔（４）和第二马刺狭孔（５）两条长度不同的狭孔构成的非对称马刺狭孔结构。通过调节非对称马刺狭孔结构长度差（６），能使ＭＭＩＣＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器输出端口（３）具有两个阻带的滤波特性，使得ＭＭＩＣＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器具有很好的谐波抑制能力，输出信号线性特性大为提升，并在二次谐波和三次谐波处产生了阻带特性，使其谐波分量大大减小。本发明专利技术因设计紧凑，易于集成，在密集的集成电路中使用方便，适用于微波电路对高次谐波的抑制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种新型的非对称马刺狭孔结构的画IC InGaP HBT功率放大器 (薩IC磷化镓铟异结双极晶体管功率放大器)，属微波传输器件

技术介绍
在现代微波电路设计过程中，抑制功率放大器输出端的二次和三次谐波是 一个重要课题。通常，预失真和反馈技术被广泛用于有源器件的非线性性能优 化与提高，以减小功率放大器输出信号的谐波和噪声。另一方面，由于制作简 单、成本低廉等优点，微带滤波器和带隙谐振器等无源微带结构也常用于谐波 抑制。特别值得一提的是，光子带隙(PBG)、电磁带隙(EBG)和缺陷接地结构 (DGS),因具有极好的滤波器特性及低成本的特点，近来被广泛用于天线、耦 合器、放大器和振荡器的高次谐波抑制。但是，上述应用需要若干个缺陷单元 组合，这将导致占用较大电路面积和更大的插入损耗。而且DGS、 PBG和EBG需 要在接地板背面刻蚀工艺及位置校准程序，因此，增加了微带电路制作时间和 加工难度。马刺狭孔(Spurline)是植于传统微带线内的一种简单、紧凑、共面的微 带缺陷结构。该结构无需在接地板背面的刻蚀工艺和位置校对，因而设计紧凑, 易于集成，在密集的集成电路中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种ＭＭＩＣ　ＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器，其特征在于，在ＭＭＩＣ　ＩｎＧａＰ　ＨＢＴ功率放大器输出端口（３）上加载由第一马刺狭孔（４）和第二马刺狭孔（５）两条长度不同的狭孔构成非对称马刺狭孔结构。

【技术特征摘要】
1、一种MMIC InGaP HBT功率放大器，其特征在于，在MMIC InGaP HBT功率放大器输出端口(3)上加载由第一马刺狭孔(4)和第二马刺狭孔(5)两条长度不同的狭孔构成非对称马刺狭孔结构。2、 根据权利要求1所述的一种MMIC InGaP HBT功率...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘海文，王杉，
申请(专利权)人：华东交通大学，
类型：发明
国别省市：36[中国|江西]